绝缘栅双极型晶体管的特性

   (1)伏安特性 NL17SZ14DFT2G

   IGBT的伏安特性是指以栅射电压UGE作为参变量时集电极电流Ⅰc和集射电压L「tsE之间的关系曲线,也称为输出特性,如图⒈31(a)所示。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似,不同之处在于IGBT的控制变量是栅射电压△「Gr,而BJT的控制变量是基极电流Ⅰ:。IGBT的伏安特性也分3个区域:正向阻断区、有源放大区和饱和区,这分别与BJT的截止区、放大区和饱和区相对应。当栅射电压呒E<栅射极开启电压呒(⑾时,IGBT工作于阻断状态;当u汜)LTα曲)时,VDMOS沟道体区内形成导电沟道,IGBT进入正向导通状态。正向导通区又分为有源放大区和饱和区。在电力电子电路中,开关器件IGBT常I作于饱和状态和阻断状态,若IGBT工作于放大状态,将会增大IGBT的损耗。

   (2)转移特性

   IGBT的转移特性是指输出集电极电流Ⅰc与栅射电压呒E之间的关系曲线,如图⒈31(b)所示。IGBT的转移特性与功率MOSFET的转移特性相同。当栅射电压UGE(【,α⑾时,IGBT处于关断状态;当呒E>u×ω时,IGBT导通。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内,Jc与L厂GE呈线性关系。