基于以上因素,越来越多的人们开始对p-AlGaN EBL提出了不同看法D习。他们认为,p-Al⒍N EBL的插入,虽然在一定程度上增大了电子势垒,但随着A1组分的增大,AlGaN电子阻挡层和最后一个GaN垒的晶格失配产生的压电极化电场, L7805-12CV与叠加GaN自身的极化场叠加,进一步加剧发光波长的偏移。此外,该压电极化电场会在AlGaN EBL的价带中产生一个阻碍空穴注入的势垒尖峰,阻碍空穴向有源区的有效注入,这也会影响空穴在多量子阱内的均匀分布,最终降低LED的发光效率卩到。同时,低温p-A1CIaN的插入,还会影响紧随其后生长的p-GaN夕卜延晶体质量,降低p型层的Mg杂质激活效率。因此,作为AlGaNEBL的一种,n~GaN与多量子阱之间的n~A1GaN EBL就体现出了其独有的优势D刨。由于n-A1⒍Ⅸ位置远离p型层,因此不会对空穴迁移造成阻碍,即相比p-Al⒍N EBL,其空穴在多量子阱内分布更为均匀,这会提高LED的光功率,改善效率衰减,提高其各项性能D"。

   除了采用组分均匀单一的AlC1aN层,还有人采用短周期的AlGaN/GaN量子阱或超晶格结构来制作EBL卩四,以期实现有效地抑制电子的溢出并提高空穴注入效率,来改善效率衰减。其研究认为,在多量子阱有源区与p-GaN之间插入p-A1G瘀/GaN超晶格,能够利用AlG泛Ⅸ/GaN超晶格对电子的阻挡作用,成功解决大工作电流下载流子的泄漏问题,获得光功率、外量子效率的提升。