倒装芯片的实质是在传统正装工艺的基础上,将芯片的出光区与电极区不设计在同一个平面,此时电极区面朝向封装灯杯底部进行贴装,JCY0200出光区为蓝宝石衬底面,如果对于薄膜倒装芯片,则出光面为ll-GaN面。这也可以省掉焊线这一工序,但是对固晶这段工艺的精度要求相对较高。

   倒装芯片结构与正装芯片结构的对比如图⒋31所示。

   为适应LED芯片的应用,倒装芯片制造过程中的倒装技术也在不断进化改善,芯片的电极结构也有大幅度的变化,其关键技术特点如下P1]:

   ①P,N Pad在爆点采用了大面积多层加厚金属电极,简单来讲芯片正面只可以看到两大块分割开的P,N爆线用电极。

   ②采用了微电子制造领域中的双层布线技术。

   ③双层布线电极之间采用介质隔离技术。