一般常关型seed器件的量子阱数目都取50个左右，图1和图2分别是常关型器件量子阱结构和计算的反射谱。要 获得高的对比度必须使低态反射率基本为零，这样就要利用asfp腔的调制作用。非对称f－p腔的模式波长在100 kv/cm电场作用下向短波移动，如图2所示，同时由于模式波长与激子吸收峰靠得很近，重空穴激子峰被掩盖了。 由于模式向短波移动，导致852 nm附近随电场的增加，反射率增大，显然这是一种常关型的电场调制过程。 同时，作为seed器件，在这一波长范围随电场的增加，光吸收减小，出现负阻特性，可以实现双稳工作。所以当 零场中的腔膜位于激子吸收峰附近时，器件即可实现双稳工作，又可作为常关型光调制器。

图1 常关型器件量子阱结构

图2 理论计算的常夫型器件反射谱

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