对于常通型器件，要获得高态反射率大于50％，低态反射率接近为零的器件，量子阱数目需75～100对，为了减 小工作电压，对应较少的量子阱数目，在器件顶部增加dbr可增大器件顶部反射率，2对λ/4光学厚度的a10.1 gao.9as/alas的dbr即可使顶部反射率达到0.5。这样，量子阱数目可取为50，图1和图2分别是常通型器件量子阱 结构和计算的反射谱。

　　从图2可以看到，虽然830～870 nm波段处于dbr高反射区内，但其反射率却不是对dbr进行单独计算时的反射谱 线，而是出现了一个很深的凹谷，这是由激子吸收和腔模式共同作用造成的。在谐振波长处量子阱吸收区存在较 高的激子吸收，而非对称f－p腔对谐振波长的入射光有干涉加强的作用，从而使入射光在腔内多次往返，增加了多量子阱的有效吸收长度，造成对入 射光的较大的衰减。

图1 常通型器件量子阱结构

图2 理论计算的常通型器件反射谱

　　当零电场时asfp腔模式位置被调整到860 nm附近，由于asfp腔模式波长与激子吸收峰相距较远，在860 nm处的 吸收系数很小，因而asfp腔模式对入射光的影响不大，反射率较高，在50 kv/cm和100 kv/cm的电场作用下，量子 限制stark效应使激子峰红移，使之靠近模式波长或与模式重合，这样在860 nm处，在腔膜和激子峰的共同作用下 ，产生很大的吸收，反射率急剧下降，形成随电场的增加反射率下降的常通型调制过程。因而当asfp腔模式距离 重空穴激子吸收较远时，适于制作常通型光调制器。

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