在正向注入的情况下（即p+区相对于n+区接正偏压），电子和空穴将注入到本征区，形成电流。因为这就是一个p-l-n二极管结构，其导通电压约为0.7 v，所以正偏电压至少应大于0.7 v。在一定偏压下，载流子注入浓度与p+区和n+区的掺杂浓度有关。下面我们先来回顾一下脊形光波导的光场分布，这里根据我们所定义的截面重新计算，如图1所示。

　　图1 脊形光波导基模

　　我们讨论注入到器件（图1）中的载流子浓度。假设p＋区和n＋区的掺杂浓度为5×1018cm-3，正向偏压为0.9v，掺杂区近似被认为均匀分布且深度为0.5um；n+区偏移脊区2pm；我们考虑沿aa和bb线分布的电子浓度（空穴浓度分布可认为近似相等）。分别如图2和图3所示。

　　根据图2和图3我们可以看出，注入电子浓度沿aa线方向和bb线方向分别约为2.3×1017cm-3和2.2×1017cm-3，脊形光波导内载流子浓度的变化约为2×1016cm-3量级。因此载流子浓度的变化较载流子浓度本身低一个数量级，可以近似认为载流子浓度是均匀分布的。这样就可以避免计算载流子分布和模场分布的重叠积分，大大简化了我们的分析过程。而事实上这样做是合理的，因为建模本身也只是为各参数确定一个大概的范围，还有很多不定的因素未能考虑进去；而这些因素引起的偏差很可能较我们对光场载流子的近似均匀分布引入的偏差大，所以在具体制作过程中，对于器件的每一个重要参数，我们都要设计一系列在模拟优化参数附近的参数值以便取得最优实际参数值。

　　图2 沿aa线方向的载流子浓度分布

　　图3 沿bb线方向的载流子浓度分布

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