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光反射谱测量

发布时间:2008/12/5 0:00:00 访问次数:542

  我们采用了mbe技术生长多量子阱结构,衬底材料为半绝缘gaas。在生长时先在半绝缘衬底上生长一层n+gaas作为n型电极,紧接着在其上生长20.5个周期的alas/algaasdbr,在dbr和多量子阱区之间生长n型和i型algaas缓冲层,缓冲层的作用一方面是防止n区杂质渗入多量子阱吸收区,另一方面是由于在生长了dbr后,材料表面平整度较差,若在其上直接生长量子阱不易形成良好的界面,因此通过生长缓冲层作为过渡来调整界面。另外,改变缓冲层厚度也可调整asfp腔的模式波长,缓冲层还可作为腐蚀阻挡型。在生长了50个周期的gaasalgaas多量子阱后,是i型和p型algaas缓冲层,最后是p+ gaas作为p型电极。

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  我们采用了mbe技术生长多量子阱结构,衬底材料为半绝缘gaas。在生长时先在半绝缘衬底上生长一层n+gaas作为n型电极,紧接着在其上生长20.5个周期的alas/algaasdbr,在dbr和多量子阱区之间生长n型和i型algaas缓冲层,缓冲层的作用一方面是防止n区杂质渗入多量子阱吸收区,另一方面是由于在生长了dbr后,材料表面平整度较差,若在其上直接生长量子阱不易形成良好的界面,因此通过生长缓冲层作为过渡来调整界面。另外,改变缓冲层厚度也可调整asfp腔的模式波长,缓冲层还可作为腐蚀阻挡型。在生长了50个周期的gaasalgaas多量子阱后,是i型和p型algaas缓冲层,最后是p+ gaas作为p型电极。

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