光反射谱测量
发布时间:2008/12/5 0:00:00 访问次数:546
我们采用了mbe技术生长多量子阱结构，衬底材料为半绝缘gaas。在生长时先在半绝缘衬底上生长一层n＋gaas作为n型电极，紧接着在其上生长20.5个周期的alas／algaasdbr，在dbr和多量子阱区之间生长n型和i型algaas缓冲层，缓冲层的作用一方面是防止n区杂质渗入多量子阱吸收区，另一方面是由于在生长了dbr后，材料表面平整度较差，若在其上直接生长量子阱不易形成良好的界面，因此通过生长缓冲层作为过渡来调整界面。另外，改变缓冲层厚度也可调整asfp腔的模式波长，缓冲层还可作为腐蚀阻挡型。在生长了50个周期的gaasalgaas多量子阱后，是i型和p型algaas缓冲层，最后是p+ gaas作为p型电极。
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我们采用了mbe技术生长多量子阱结构，衬底材料为半绝缘gaas。在生长时先在半绝缘衬底上生长一层n＋gaas作为n型电极，紧接着在其上生长20.5个周期的alas／algaasdbr，在dbr和多量子阱区之间生长n型和i型algaas缓冲层，缓冲层的作用一方面是防止n区杂质渗入多量子阱吸收区，另一方面是由于在生长了dbr后，材料表面平整度较差，若在其上直接生长量子阱不易形成良好的界面，因此通过生长缓冲层作为过渡来调整界面。另外，改变缓冲层厚度也可调整asfp腔的模式波长，缓冲层还可作为腐蚀阻挡型。在生长了50个周期的gaasalgaas多量子阱后，是i型和p型algaas缓冲层，最后是p+ gaas作为p型电极。
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