cMOs电路有P管网络和N管网络,化。由于空穴的碰撞离化率比电子小得多,AD8042AR两者都存在热载流子注入效应引起的退所以相同应力条件下P管比N管的热载流子退化也要小很多。电路设计上可以忽略PMOS管的热载流子注入效应引起的退化,仅考虑NMOS管的热载流子注入效应引起的退化。

   在或非门电路中,多个NMOs管的并联使每个NMOS管上的漏源电压都一样大;而CMOs与非门中,所有NMOS管串联接在输出节点与地之间,当输出负载电容放电时,最靠近输出节点的NMOS晶体管,即顶端NMOS管承受高漏源电压的时间最长,承受的应力最大,因而最易发生退化。可靠性模拟使用BTABERT软件,MOS热载流子模拟时调用衬底电流模型: