从图10.13中可见,沟道长度从0.5um缩小到0.I8um(缩小了“%), 撞电离产生率从5,87×1y8pairs/cm3・s)增大到6.8×1029pairs/cm3・s,大约增大了10.6倍。同时,最大的注入电流从9.2×1012A・umˉ1增大到2.3×1010A・um1(增大了24倍)。可见随着沟道长度缩小, AD8057AR最大碰撞离化率与最大电子注入电流显著地增

大,这意味着有更多热载流子注入到氧化层中被陷阱俘获或与Si―0、si~H键作用产生界面态,即随着沟道缩小,热载流子效应引起的器件退化将会越来越严重。

   从图10.14可见,随着沟道长度缩小,漏端附近的最大横向电场持续增大,沟道中由于碰撞电离产生大量电子空穴对,这些载流子在漏极电场的作用下加速获得足以越过Si/S⒑2势垒的能量,注入到氧化层中,导致氧化层陷阱电荷和界面态产生,最终导致器件退化。