半导体器件构成的储存器有动态随机储存器(DRAM),静态随机储存器(sRAM),闪存(Flash)等。 TC75S55F储存器测试的流程通常有圆片测试(wafer sort,W/S),激光修复(laserrepair J'/R),老化(burl△in,B/I),终测(final test,F/T)等。圆片测试有时叉称为芯片针测(chip probing)。储存器构造的特点是电路单元规律重复,管脚少,生产量很大。囚为储存器的功能是数据储存,所以测试的日的就是测试它的数据储存功能。测试方法简单地说就是把数据写人,再读出与原数据做比对;如果相同则功能通过.否则即失效。储存器的每一储存晶胞单元(cell)是由两个地址作定位.分别是X.和Yc习惯上我们用棋盘方格来表示。

   现今的储存器测试要求大量平行测试(parallel test),一次测试256颗芯片,甚至512颗。测试频率可以达到数GHz。这需要昂贵的测试设备。