共同离子注人是(c⒍implantation或∞cktai卜implantation)的中文翻译, OP113ES原意是指用类似于调鸡尾酒的办法,将除通常所需注人的N或P型离子之外的其他杂质离子(如碳,氟,氮等)一起注入所需器件的特定区域,用来调节最终浅结的深度、轮廓以及改善器件可靠性和延长使用寿命。用共同离子注人的办法来抑制退火过程中掺杂元素的扩散,提高掺杂元素的活化在65nm节点就已经得到了广泛的应用,现在已经成为一种通行的做法。以PMOS为例,在做源漏极延伸时,碳和氟离子就经常被用于共同离子注入,以减少硼元素的扩散和提高它的活化率。图10,9∶盯说明了共同离子注人的作用原理:①通常的硼和磷离子注人,硼和磷靠近射程端缺陷区域,在退火时易扩散并和间隙原子形成掺杂缺陷簇;②前置非晶态离子注人让掺杂元素远离射程端缺陷区,但退火过程中回流的间隙原子会促进硼扩散;③碳或氟的共同离子注人,会俘获间隙硅原子和其他缺陷位,防止硼纵深扩散和形成掺杂缺陷簇而较低活化率。图10.10[1:1的扫描扩展电阻式显微镜照片清楚地说明了碳的共同注人,大大地减少了硼在沟道下方的横向和纵向扩散。正是囚为这些优势,使得共同离子注人在器件的短沟道效应的抑制、漏电流的降低以及工作电流的提高方面都有很大的改善。