半导体集成电路是以P型硅材料作为衬底
发布时间:2017/11/8 12:10:48 访问次数:1626
半导体集成电路 A82C250
半导体集成电路是以P型硅材料作为衬底,在其上形成晶体管、
二极管、电阻器、电容器等而构成的。是双极型集成电路结构的例子。
MOS集成电路有PMOS集成电路、NMOS集成电路和CMOS
集成电路等。与双极型集成电路相比,其结构简单,价格便宜,而且正在进行高密度化、高速化的开发。NMOS集成电路N型沟道的载流子是电子,其迁移率比P型沟道的空穴大,可以在高速下工作,使用比PMOS广泛。
CMOS集成电路是使P型沟道和N型沟道的两个晶体管相组合的倒相电路。CMOS集成电路比NMOS集成电路面积性能比大,制造工序多,它具有超低耗电、抗噪声能力强等特点。
半导体集成电路 A82C250
半导体集成电路是以P型硅材料作为衬底,在其上形成晶体管、
二极管、电阻器、电容器等而构成的。是双极型集成电路结构的例子。
MOS集成电路有PMOS集成电路、NMOS集成电路和CMOS
集成电路等。与双极型集成电路相比,其结构简单,价格便宜,而且正在进行高密度化、高速化的开发。NMOS集成电路N型沟道的载流子是电子,其迁移率比P型沟道的空穴大,可以在高速下工作,使用比PMOS广泛。
CMOS集成电路是使P型沟道和N型沟道的两个晶体管相组合的倒相电路。CMOS集成电路比NMOS集成电路面积性能比大,制造工序多,它具有超低耗电、抗噪声能力强等特点。
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