氧化硅湿法刻蚀第二个选择是缓冲氧化物刻蚀剂(B()E),它是HF和NH∶F的混合物l避免H「刻蚀时氟离子的缺乏1bl,溶液pH值稳定,不受少量酸加人的影响.还 S912XEP100J5VAG有一个好处是刻蚀率稳定不侵蚀光阻,避免栅极氧化层刻蚀时光阻脱落。随着技术节点的不断下移,对刻蚀后膜层均匀度和粗糙度要求较高,刻蚀速率一般较快,克服不r这些问题,极稀的HF渐渐受到重视。

   HF/EG溶液对氧化硅湿法刻蚀

   HF/EG是49%的氢氟酸与乙二醇以大约4:96的比例混合,温度控制在70~80℃,对炉管氧化硅和氮化硅的刻蚀选择比约1:1.5,其主要特点是不与基体硅或干刻蚀损伤硅反应,因雨在有⒏的刻蚀制程或有⒏N和Sl02去除,都可有所考虑,如CMOS的sTI形成后,氮化硅湿法回蚀方面的应用。

   sC1溶液对氧化硅湿法刻蚀

   SC1是氢氧化铵、双氧水、水的混合物,高温(60~70℃)SC1(1:2:50)对炉管氧化硅有低的刻蚀率,约3A/雨n,可用于特殊步骤的精细控制。浓度越大和温度越高,则刻蚀就越快。