以上介绍了晶片制造过程中各种污染.污染的来源,污染对器件的影响。对于L千步的制程, TC75S55F使用不同的设备、材料和方法,达到预期目的的同时.也会产生不同的副作用:污染。通过制程的完善和创新,使相关污染得以消除或降低。以下就晶片湿法处理做简单介绍。

   晶片湿法处理的要求

   湿法处理是通过水溶性的药物,结合物理或化学机理,对薄膜、有机物、无机物、金属、颗粒污染加以去除。就单一个制程讲,可能有不止一种污染,湿法处理会合并几个步骤,依次处理,同时要求后面的步骤不会污染前面的步骤或降低前面清洗的有效性。湿法处理不但要求有高的污染去除效能,而且要有低的材料硅、氧化硅等损失(90nm CMOS1.OA;65nmCMOS0.5A)和器件损伤,没有粗糙表面、残渣、金属腐蚀等。