(1)一次氧化前的清洗为什么要采取上述步骤?去油污所用化学试剂的顺序可否颠倒,为什么?

   (2)若清洗使用的去离子水的纯度低,会给下TAS3208IPZP步氧化带来什么影响?

   一次氧化

   一次氧化是在硅片表面通过热氧化I艺生长一层厚度约0.6um的二氧化硅薄膜,作为基区硼扩散的掩膜。二氧化硅薄膜的制备方法很多,热氧化法与CVlD法或PVD法相比淀积的氧化膜更致密,针孔少,适合作为掺杂掩膜。在热氧化方法中.干氧生长的氧化膜叉比湿氧氧化膜致密,针孔少,而且表面干燥适于光刻。但是,干氧氧化速率太慢。湿氧氧化膜比十氧氧化膜疏松,针孔密度大,表面湿润,为硅氧烷结构,光刻时容易浮胶;而氧化速率却远快于干氧。囚此,一次氧化采取:干氧一湿氧-―干氧、交替方法来生长扩散掩膜。

   工艺设备与工艺条件

   工艺设各:3英寸高温氧化炉,源瓶,控温仪,气体流量计.石英舟,氧气瓶。工艺条件:炉温为1180±1℃,时间为10min干氧→50min湿氧→lO min干氧;干、湿氧的氧气流量都是1凵lllln;湿氧用超纯水放人源瓶,用氧气携带,进人氧化炉,用控温仪水浴加热源瓶中的超纯水,温度控制在98℃。