硼扩散前准备
发布时间:2017/6/3 23:07:49 访问次数:1048
1.硼源准备
BN源片初次使用前,应按照使用说明书进行清洗,活化;再次使用的BN源片还应活化,通常是 TAS5706BPAPR在硼扩散温度将其推至扩散炉恒温区,通入氧气1I'/min、约⒛min,换氮气0.5I'/min、约10min,再将活化好的BN源片从炉中拉出放在炉口,待用。
2陪片准备
用切片机(后面介绍)切割硼扩散陪片,陪片大小为2.0mm×4.2mm。陪片和制造晶体管用硅片(正片)应全同。陪片与正片一起清洗,烘干后,待用。
3硅片清洗
清洗一次光刻后的硅片,清洗方法和一次清洗有所不同,光刻后是用98%浓硫酸煮沸去胶,去除了光刻胶及其他有机油污,因此,无须再用甲苯等有机溶剂去油污。
直接依次使用Dz 1、DZ 2洗液超声波清洗各约511un,在两种洗液超声波清洗之间和之后,分别用冷、热去超纯水反复漂洗数遍,直至漂净洗液的泡沫为止。硅片在电炉上或烘箱内(1⒛℃)烘干,待用。注意:不可将湿硅片放置在有硼源的石英舟上,这样硼源易受潮而变形、失效。硅片必须烘干后才能放入有硼源的石英舟上。
1.硼源准备
BN源片初次使用前,应按照使用说明书进行清洗,活化;再次使用的BN源片还应活化,通常是 TAS5706BPAPR在硼扩散温度将其推至扩散炉恒温区,通入氧气1I'/min、约⒛min,换氮气0.5I'/min、约10min,再将活化好的BN源片从炉中拉出放在炉口,待用。
2陪片准备
用切片机(后面介绍)切割硼扩散陪片,陪片大小为2.0mm×4.2mm。陪片和制造晶体管用硅片(正片)应全同。陪片与正片一起清洗,烘干后,待用。
3硅片清洗
清洗一次光刻后的硅片,清洗方法和一次清洗有所不同,光刻后是用98%浓硫酸煮沸去胶,去除了光刻胶及其他有机油污,因此,无须再用甲苯等有机溶剂去油污。
直接依次使用Dz 1、DZ 2洗液超声波清洗各约511un,在两种洗液超声波清洗之间和之后,分别用冷、热去超纯水反复漂洗数遍,直至漂净洗液的泡沫为止。硅片在电炉上或烘箱内(1⒛℃)烘干,待用。注意:不可将湿硅片放置在有硼源的石英舟上,这样硼源易受潮而变形、失效。硅片必须烘干后才能放入有硼源的石英舟上。
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