表征光刻胶性质的量有下面几个。

   1 响应波长

   响应波长是能使光刻胶结构发生变化的光(或射线)的波长。为了提高光学光刻的分辨率,光刻S-1200B33-M5T1G胶在向短波方向发展。

   汞灯作为光源时所用胶的响应波长是紫光,400~550nm;氙-汞灯作为光源采用近紫外胶,响应波长在360nm附近;190nm的极紫外光刻胶正在研究之中。电子束光刻胶对电子束有响应。

   2灵敏度

   光刻胶的灵敏度是指单位面积上人射的使光刻胶全部发生反应的最小光能量或最小电荷量(对电子束胶)。灵敏度以毫焦每平方厘米(Ⅱ刂/cnl9)为单位。提供给光刻胶的光能量值通常称为曝光量。灵敏度越高,需要的光(或射线)能量越少,曝光时间越短。灵敏度太低会影响生产效率,所以通常希望光刻胶有较高的灵敏度。但灵敏度太高会影响分辨率。负胶的灵敏度高于正胶。

   3抗蚀性

   光刻胶胶膜必须保持它的黏附性,并在后续的湿刻和干刻中保护衬底表面。这种性质称为抗蚀性。一些干法刻蚀工艺要在高温(如150℃)下完成,这需要光刻胶具有热稳定性以保持其形状。抗蚀性越强,光刻胶性能越好。

   4黏滞性

   对于液体光刻胶来说,黏滞性是评价其流动特性的定量指标。黏滞性与时间相关,因为它会在使用中随着光刻胶中溶剂的挥发而增加。黏滞性非常重要,因为硅片表面具有各种形貌(如台阶和狭缝),在这些地方,它会影响光刻胶的厚度和均匀性。随着黏滞性的增加,光刻胶流动的趋势变小,它在硅片上的厚度增加,分辨率下降,但是抗蚀性增强。因此,选择胶的黏度时应根据需要来确定。

   5黏附性

   光刻胶的黏附性描述了光刻胶黏着于衬底的强度。光刻胶必须黏附于许多不同类型的表面,包括硅、多晶硅、二氧化硅(掺杂的和未掺杂的)、氮化硅和不同的金属。光刻胶黏附性的不足会导致硅片表面上的图形变形。光刻胶的黏附性必须保证光刻胶经受住曝光、显影和后续的工艺(如刻蚀和离子注人)条件。