1980年出现了带侧墙的漏端轻掺杂结构(LlghtˇDoping Dr“n,I'DD),以降低短沟MOSFET的热载流子效应。1982年出现了自对准硅化物(Sdodcd)技术,降低了源漏接触区的接触电阻。同年还出现了浅槽隔离(STI)技术, PAM2305CGFADJTR提高了集成电路的集成度。1983年出现了氮化二氧化硅栅介质材料,利用这种栅介质材料替代纯二氧化硅,能够改善器件的可靠性。1985年出现了晕环(Hdo)技术,该技术目前广泛应用于超深亚微米MOS技术中,成为沟道I程的重要组成部分。同时出现了双掺杂多晶硅栅CMOS结构,即在CMOS器件中nMOs采用lli多晶硅栅、pM(B采用盯多晶硅栅。而在这之前CMOS中的nM(E和pMOS均采用单一的n+多晶硅栅。1987年IBM研制成功了0.1。Ln1MOSFET,标志着当代超深亚微米MC)S技术的基本成熟。同年htd在386CPU中引入了1・2um CMOS技术,至此之后,CMOS技术占据了集成电路中的统治地位。20世纪90年代以后还出现了化学机械抛光(CMP)、大马士革镶嵌I艺(Dam灬ce∝)和铜互连技术,使当代CMOS工艺技术又前进了一大步。CM(B集成电路的发展基本遵循“摩尔定律”,即每18个月集成度增加1倍、器件特征尺寸缩姬焦,性能价格比增加1倍。