在小的、OTI002108高性能的MOS晶体管的生产中，一个重要因素是薄的栅氧化层。然而，在ioo A（或更薄）范围内，二氧化硅膜质量趋于变差，并难以控制（见图7. 32）。。二氧化硅膜的一种替代品是热生长氮化硅膜( Si3 N4)。在这么薄的范围内，氮化硅膜比二氧化硅膜更致密，针孔更少。它还是一种很好的扩散阻挡层。由于在最初快速生长之后的平滑生长特性，使得薄膜的生长控制得到加强。图7. 32显示了这个特性。这一反应是在950℃~ 1200℃之间，硅表面暴露在氨气(NH3)中而生成氮化硅的29。

   有些先进器件使用氮化氧化硅( Si0，N，)膜，也称为氮氧化物( nitride-oxide)膜。它们形成于二氧化硅膜的氮化，但不像二氧化硅膜。氮氧化物膜的组分随着不同的生长工艺而变化[30]。另一种MOS 栅极结构是三明治式的，即氧化膜／氮化膜／氧化膜( ONO).