直到20世纪70年代中期， EL5420CR可供光刻胶工艺师选择的光刻和曝光设备只有两种：它们是接触式光刻机和接近式光刻机。这两种使用掩模图形系统。所需层的图形首先产生在玻璃基板E：的铬层中。这种图形又被转移到光刻胶层。光源照射穿过模，并在光刻腋层中将图形编码为聚合和未聚合区域。

   一个具有掩模的对准系统需要将掩模版定位到空白晶圆（第一掩模版）或定位到晶圆表面上已有的图形。在第4章介绍了该工艺。它指出，在一个放大掩模版产生一个电路的硬拷贝。这样依次复制一个完整的晶圆掩模（见图4. 13）。第9章详细介绍掩模制造工艺。A&E系统包括使用完整的掩模版，或只是图形在一步一步的过程( stepper)中覆盖晶圆的放大掩模版。

   非掩模版系统让所需的图形编码到曝光源中。随着曝光能量波被“引渡”到晶圆表面上正确的位置，无掩模版的图形被直接“投影”到光刻胶层。

   第二个子系统是曝光源。它们包括光学和非光学的源（见图8. 40）。光学光刻机采用紫外线作为光源，而非光学光刻机的光源则来自电磁光谱的其他部分。为满足减小特征图形尺寸，增加电路密度，以及甚大规模集成电路( ULSI)时代对产品缺陷的要求，光刻设备得以不断发展。

   选择和比较光刻机有几个标准（见图8. 41），这些标准与它们连贯高效地生成所需图形的能力有关。最重要的参数大概要算分辨率( resolution capability)了，或者说是机器产生特定尺寸图形的能力。分辨率越高，机器就越好。除所需图形尺寸的分辨卒以外，对准机还必须具有将图形准确定位的能力。这一性能参数称为对准机的套准能力( registration ca-pability)。这两项指标都必须在整个晶圆上实现，这就是尺寸控制(dimensional control)。，

最后一项性能指标是拥有成本，它包括最初的采购成本、晶圆量( wafer throughput)（装载、对准、曝光和卸载所用的时间）、机器的维护费用以及机器的可运行时间。这些指标将在第15章中加以讨论。

   所以选项是硬图形系统（掩模版／放大掩模版）或直接写对准，还有些曝光源选项。