在晶体提交到下一步晶体准备前，MC9S12DJ64VFU必须要确定晶体是否达到定向和电阻率的规格要求。

   晶体定向（见图3. 18）是由X射线衍射或平行光衍射来确定的。在两种方法中，晶体的一端都要被腐蚀或抛光，以去除损伤层。下一步晶体被安放在衍射仪七，X射线或平行光反射晶体表面到成像极（X射线）或成像屏（平行光）。在成像板或成像屏上的图案显示晶体的晶面（晶向）。在图3. 18显示的图案代表(100>晶向。

   图3. 18  晶体定向确定

   许多晶体生长时有意偏离重要的<111>和(100>晶面一点角度。这些偏晶向在晶圆制造过程中会带来很多好处，特别是在离子注入工艺中，原因会在工艺应用章节中涉及到。

   晶棒黏放在一个切割块上来保证晶圆从晶体正确的晶向切割。

   由于晶体是经过掺杂的，一个重要的电学性能检查是导电类型（N或P），以保证使用了正确的掺杂物。热点探测仪连接到极性仪，用来在晶体中产生空穴或电子（和类型相关），在极性仪上显示导电类型。

   进入晶体的掺杂物的数量由电阻率测量来确定（使用四探针仪）。第13章将对此测量技术进行描述。第2章（见图2.7）讲到的曲线表示了电阻率和N型P型硅掺杂含量的关系。

   由于在晶体生长工艺中掺杂量的变异，电阻率要沿着晶体的轴向测量。这种变异导致晶圆进入几个电阻率的规格范围。在后面的工序中，晶圆将根据电阻率范围分组来达到客户的规格要求。