在第5章中，掺杂被定义为4种基本工艺制造之一。掺杂需要在表面层上建立一些洞， K4H560838F-UCB3通过离子注入或扩散的方法把特定的掺杂物引入到暴露的晶圆表面。在硅技术里，最常见的表面层是二氧化硅（见图7.2）。留在硅表面的二氧化硅能够阻挡掺杂物浸入硅表面。在硅技术里用到的所有掺杂物，其在二氧化硅里的运行速度低于在硅中的运行速度。当掺杂物在硅中穿行达到所要求的深度时，它在二氧化硅里才走了很短的路程。所以，只要一层相对薄的二氧化硅，就可以阻挡掺杂物浸入硅表面。

   图7.2作为掺杂阻挡层的二氧化硅

   另一个钟爱二氧化硅的原因，是因为它的热膨胀系数与硅的热膨胀系数很接近。在高温氧化工艺、掺杂扩散或其他一些工艺中，晶圆会热胀冷缩。二氧化硅与硅胀缩的速率接近，这就意味着，在加热或冷却时，晶圆不会发生弯曲。