集成电路的牛产从抛光硅片的下料开始的硅栅MOS晶体管结构所需要的基础r艺截面图按顺序展示厂构成一个简单每一步r艺生产的说明如F所示.

   第1步：薄膜工艺。对晶圆STM32F103VCT6表面的氧化会形成一层保护薄膜，它可作为掺杂的阻挡层．这层二氧化硅膜被称为场氧化层( field oxide)，、

   第2步：图形化工艺。通过光刻、刻蚀、去胶工艺，在场氧化层上开凹孔以定义晶体管的源极、栅极和漏极的特定位置。，

   第3步：薄膜工艺。接下来，晶圆将经过二氧化硅氧化反应加工。晶圆暴露的硅表面会生长一层氧化薄膜。它可作为栅极氧化层。

   第4步：薄膜工艺。在这一一步，晶圆上淀积一层多晶硅作为栅极结构。

   第5步：图形化工艺。通过光刻工艺，在氧化层／多晶硅层按电路图形刻蚀两个开口，它们定义了晶体管的源极和漏极区域。

   第6步：掺杂工艺。掺杂加工用于在源极和漏极区域形成N型。

   第7步：薄膜工艺。在源极和漏极区域生长一层氧化膜。

   第8步：图形化工艺。通过光刻、刻蚀和去胶工艺，分别在源极、栅极和漏极区域刻蚀形成的孑L，称为接触孑L。

   第9步：薄膜工艺。在整个晶圆的表面沉积一层导电金属，该金属通常是铝的合金。

   第10步：图形化工艺。通过光刻、刻蚀和去胶工艺，晶圆表面金属镀层在芯片和划片线上的部分按照电路图形除去。金属膜剩下的部分将芯片的每个元件准碲无误地按照设计要求互相连接起来。

   第11步：热处理工艺。紧随金属刻蚀加工后，晶圆将在氮气环境下经历加热工艺、，此步加工的目的是使金属与源、漏、栅极进一步熔合以获得更好的电性接触连接。

   第12步：薄膜工艺。芯片器件上的最后一层是保护层，通常被称为防刮层( scratch layer)或钝化层( passivation layer)。它的用途是使芯片表面的元件在电测、封装及使用时得到保护。

   笫13步：图形化工艺。通过光刻、刻蚀和去胶工艺，在整个工艺加工序列的最后一步是将位于芯片周边金属引线压点上的钝化层刻蚀掉。这一步被称为压点掩膜( pad mask).