- 封装控制要求2012/5/2 19:48:28 2012/5/2 19:48:28
- 密封继电器都要求真空焙烘后充MJD127T4G高纯氮。真空焙烘的温度和时间是关键，对继电器内部的水汽含量有着较大的影响。继电器一般采用熔焊密封，要求罩子和底板过盈配合。工艺改进措施由于JRC-2...[全文]
- 熔封继电器气密性设计2012/5/2 19:28:44 2012/5/2 19:28:44
- 为了保证熔封继电器的ADA4899-1YCPZ气密性，可采取如下措施：①底板和罩子配合间隙不大于0.03mm，稍有过盈，过盈的大小根据继电器体积大小而定，过盈量以罩子和底板压平后，罩子不至于撕裂...[全文]
- 种类和特点2012/5/1 20:05:26 2012/5/1 20:05:26
- 继电器的种类很多，分类方法TPS62410QDRCRQ1也较繁杂。除了电磁继电器、混合式继电器、固体继电器、热继电器、射频同轴继电器、时间继电器等几种常用继电器外，还有加速度继电器、谐振继电器、光继...[全文]
- 热塑性塑料的性能2012/5/1 19:54:26 2012/5/1 19:54:26
- 热塑性塑料的性能如表5.14所示。在施加热FT4232HL型号量和压力时，它能迅速软化而不产生化学变化，即在分子链之间不产生化学反应。典型的热塑性塑料有：聚丙烯、聚苯乙烯、尼龙（聚酰胺）、聚碳酸酯...[全文]
- 金属材料的选择与质量控制要求2012/5/1 19:47:12 2012/5/1 19:47:12
- 1.导电材料作为导电材料，最重要的性能是SA7527S电阻率；其次是连接器中的接触件（往往兼作弹性元件），弹性材料的性能也是需要关注的；还要考虑材料的工艺加工性能。连接器中接触对使用的材料基本上都...[全文]
- 在电子设备中的作用及可靠性要求2012/4/29 21:55:58 2012/4/29 21:55:58
- 连接器在电子设备BFG425W中的主要作用有：传输电信号；输送电能量；通过接触件的闭合或断开以使其所连系统的电路被接通或断开。相对于其他电子元器件来说，连接器采用的零部件较多，结构较复杂，其可靠性水...[全文]
- 连接器的种类2012/4/29 21:49:37 2012/4/29 21:49:37
- 连接器常用的分类方法有：按使用MC7805ABD2T频率分，按应用场合及结构特点分，按使用环境分。①按使用频率分：低频连接器、高频（射频）同轴连接器、高低频混装连接器。其中，高频同轴连接器包括：直...[全文]
- 主要失效模式验证2012/4/29 21:29:34 2012/4/29 21:29:34
- 为了准确确定该产品的主要SPW32N50C3失效模式和深入分析该产品的高温反向漏电流与其可靠性的关系，进行丁实验验证。失效模式验证方法：取样品26只检测器件样品高温反向漏电流，以VR一300V、T...[全文]
- 超纯水的质量控制要求2012/4/28 19:37:14 2012/4/28 19:37:14
- 微电子器件工艺对超纯L6563水的质量要求主要有六项技术指标：①电阻率：16MCI．cm以上。②粒子含量：少于130个/cm3(粒径≤0.5ptm)。③溶解的气体：少于220ppm。④总的...[全文]
- 化学清洗材料的质量控制要求2012/4/28 19:31:21 2012/4/28 19:31:21
- 电子器件生产中清洗的化FQPF13N50C学试剂有两大类：无机清洗剂和有机清洗剂。无机清洗剂主要是硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、双氧水、氨水。有机清洗剂主要是甲苯、乙醇和丙酮。化学清洗剂主要控制其不溶物...[全文]
- 失效模式与工艺的楣关性分析及工艺控制要求2012/4/27 19:39:27 2012/4/27 19:39:27
- Si、GaAs等半导体分立器件使用6B595N时出现的失效模式中，大部分与工艺过程缺陷有关。半导体材料在单晶拉制、切割、研磨、抛光及外延、光刻、扩散、蒸发溅射等工艺过程中都可能诱生各种缺陷，它们对器...[全文]
- 合金膜2012/4/27 19:31:14 2012/4/27 19:31:14
- 采用Al-Cu(4%)合金膜，175℃，J=4×l06A．cni-2时，其MTF是UC3845纯铝70倍。原理是因为Cu超过固溶度时，Cu原子以CuCl：形成在晶界处沉积，或占据晶界空位，阻塞了A...[全文]
- 冗余设计2012/4/26 19:58:04 2012/4/26 19:58:04
- 由于半导体分立器件的局部HT1381结构薄弱引起的失效模式可以用冗余设计的方法来加以控制。冗余设计主要是指器件安全工作区的设计。对于双极型低频大功率管、高压晶体管、超高频及微波功率管，安全工作区的设...[全文]
- 半导体分立器件可靠性设计的主要技术2012/4/26 19:48:30 2012/4/26 19:48:30
- 本节介绍的半导体分立NE5532器件可靠性设计技术主要有裕度和容限的可靠性设计、性能稳定性设计、合格晶体的工艺设计、抗力学应力设计、耐高低温和高湿度环境设计、抗辐射设计技术、极限条件下的可靠性设计、...[全文]
- 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)2012/4/26 19:30:35 2012/4/26 19:30:35
- MOSFET的核心是由金属一氧化物一半导体组ATF16V8B-15PU成的MOS结构，其基本结构是由MOS结构和两个背对背的PN结构成。在P型硅衬底上生长一厚度为tox的薄S102层，在氧化层上淀积...[全文]
- 电路的简化设计与电子元器件的选择、控制2012/4/25 19:45:28 2012/4/25 19:45:28
- 该产品散装电路中涉及阻容元件70余个、分立器件CY7C63001C-SXC及IC器件30多个，通过设计专用芯片，简化了电路设计，减少了电子元器件数量，阻容元件减少到30余个，分立器件及IC器件减少到...[全文]
- 多余物产生的原因分析及其控制2012/4/25 19:38:50 2012/4/25 19:38:50
- 多余物的产生主要是由于工艺技术的CY7C60456-48LTXC不完善导致多余物质被封装在腔体内部，可以分为可动多余物和暂时不可动多余物。根据多余物的成分性质可判断其来源，根据其来源又可找出产生多余...[全文]
- 混合集成电路的主要失效模式2012/4/25 19:18:18 2012/4/25 19:18:18
- 混合集成电路的CY62256VNLL-70SNXIT失效模式可以分为以下几种：①有源器件。②引线键合。③组装。④基片。⑤外壳及封装。⑥沾污及多余物。图3.4是美国罗姆航空发展中心收集的...[全文]
- 设计特点及可靠性要求2012/4/24 19:28:25 2012/4/24 19:28:25
- 从上述混合集成电路的种类、特点可以看出，混合CY14B101LA-SZ45XI集成电路不但是一种器件，而且它本身的构造设计与电子整机一样复杂多样，需要使用多种电子元器件和互连手段。因此混合集成电路的...[全文]
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