- 输出阻抗2012/5/22 19:24:15 2012/5/22 19:24:15
- 照片4.6是输出端所接负MSP430F2272IDAR载电阻为RL=2kQ时的输入输出波形。源极接地放大电路中，当输出端接负载电阻时，由于电路的输出阻抗（漏极电阻）与负载对输出分压，导致输出信号的振...[全文]
- 源极跟随器电路的设计2012/5/22 19:00:39 2012/5/22 19:00:39
- 当源极接地放大电路工MSP430F5418IPZR作时，如照片2.5所示，FET的源极上产生与输入信号vi完全相同的交流信号口。。如果把这个信号取出来将会是什么样子？这种输入输出的波形相同、电压增益...[全文]
- 使用零偏置JFET的电路2012/5/21 20:16:35 2012/5/21 20:16:35
- 第2章曾经讲过“JFET的漏极CC1110F32RSP电流不能够超过IDSS”。不过实际的JFET中能够流过大于IDSS的电流。图3.32列出了N沟JFET2SK330GR传输特性的实测数据。...[全文]
- 确定RD和Rs2012/5/20 19:29:23 2012/5/20 19:29:23
- 如式(3.11)所示，电路的MSP430F1232IPWR放大倍数A，由RD与Rs之比决定。为了得到设计指标所规定的AV=3，设定RD：Rs=3：1。栅极一源极间电压VGS因IDSS值和JD的工...[全文]
- MOSFET的传输特性2012/5/20 18:47:46 2012/5/20 18:47:46
- 图2.12是MOSFET的传输特性。MOSFET器件中除TMS320F28020PTT有与JFET相同的耗尽特性外，还有增强特性。对于N沟MOSFET，增强特性是指当VGS不在正的电压范围时就没有...[全文]
- 实际器件的跨导2012/5/20 18:45:29 2012/5/20 18:45:29
- 图2.11是图2.1电路中TMS320F28027PTT使用的N沟JFET2SK184（东芝）的传输特性。图中的多根曲线说明器件特性存在分散性。实际的FET的漏极饱和电流IDSS具有较...[全文]
- 放大倍数是跨导gM2012/5/20 18:42:24 2012/5/20 18:42:24
- 双极晶体管是以流过的基MSP430F149IRTDT极电流IB控制集电极电流IC，所以IB与IC之比一直流电流放大系数hFE就成为器件的重要特性。对于FET，如图2.10所示，是通过改变栅极一源极...[全文]
- FET的电路符号2012/5/19 20:41:19 2012/5/19 20:41:19
- 图2.9是各种FET的电MSP430F149IRTDT路符号。晶体管电路符号中的箭头表示电流流动的方向，而FET的箭头不代表电流的方向，仅仅表示极性（从图2.7看出它表示PN结的极性）。JFET在结...[全文]
- 在初级采用电流镜像电路的OP放大器电路2012/5/19 19:49:00 2012/5/19 19:49:00
- 图12.27是在初级差动放大电FSBB20CH60F路部分采用电流镜像电路的OP放大器电路。这样一来，差动放大电路部分的增益变大，所以OP放大器整体的裸增益也变大。当OP放大器的裸增益变大，加上负...[全文]
- 低噪声放大电路2012/5/15 20:07:03 2012/5/15 20:07:03
- 图9.23是电压增益为30dB的低TLV2381CDBVR噪声放大电路。与通用OP放大器相比，噪声要低10～20dB，所以可以直接用于将话筒来的信号进行放大的话筒放大器，对模拟录音机来的信号进行拾音...[全文]
- 将Tr1换成FET2012/5/15 20:03:54 2012/5/15 20:03:54
- 在图9.3的电路中，Tri和Tr2使用的OP1177ARZ都是双极型晶体管，但是Tri也常有使用FET的（过去录音机用的RIAA平衡放大器和音调控制电路就是使用这种晶体管的电路）。由于FET的栅极...[全文]
- 加上负反馈2012/5/15 19:27:06 2012/5/15 19:27:06
- 在对照片9.5与照片9.6进行观察时，虽然在AD795JRZ前面的说明中可以看出Tr2作为共发射极放大电路是合乎逻辑的。虽然Tri看起来不合乎逻辑，但是，可以很自然地认为Tri也恰好将输入电压放大了...[全文]
- 工作点要考虑到输出电容Cob2012/5/14 20:46:32 2012/5/14 20:46:32
- 下面来决定工作点，首先来24LC02B-I/SN考虑加在Tri的集电极一发射极间的电压VCE。在前面所使用的晶体管与这里昀2SC2458不同。图8.7表示的是通用低频放大晶体管2SC2785(N...[全文]
- 不发生密勒效应2012/5/14 20:35:41 2012/5/14 20:35:41
- 如在第2章介绍，共发射极电路的24LC32输入电容CI为基极一发射极间电容CbE与由于密勒效应而乘上(AV+1)后的基极一集电极间电容CbE之和。但是，如图8.4所示，渥尔曼电路的共发射极电路，由...[全文]
- 共发射极电路一样2012/5/14 20:22:59 2012/5/14 20:22:59
- 照片8.1是图8.2电路T5753-6AQJ在通用印制板上组装成的电路。照片8.2是在图8.2电路中，输入lkHz、0.5VP-P的正弦波时的输出波形。由输出信号甜。为4.6VP-P可知,该电...[全文]
- 渥尔曼放大电路2012/5/14 20:18:57 2012/5/14 20:18:57
- 在图8.2中，表示使用晶体管的LM3S815-IQN50-C2渥尔曼电路。在该图中，下面器件是共发射极电路本身，上面器件因为是基极交流接地，所以是共基极电路样子的电路。然而，共发射极电...[全文]
- 设计共基极放大电路2012/5/13 17:47:02 2012/5/13 17:47:02
- 图6.2电路的设计规格表示在下表中。为了对电路FM25V01-GTR本身的性能进行比较，设计规格完全与第2章共发射极放大电路一样。电源周围的设计与晶体管的选择与共发射极放大电路情况一样，由...[全文]
- 桥式驱动电路2012/5/12 20:33:52 2012/5/12 20:33:52
- 图5.18是使用两个在本章FM25L04B-GA设计的10W功率放大器（图5.10的电路），使输出功率为4倍的40W进行功率放大的桥式驱动电路。普通的电路是负载（扬声器）的一个端子用功率放大器来驱...[全文]
- 附加的保护电路2012/5/12 20:32:06 2012/5/12 20:32:06
- 在此制作完成的功率FM25CL64B-GTR放大器中，为了简单化，没有特别附加输出短路保护电路。最后，让我们加上防止输出晶体管Trz，过大电流流过的保护电路。图5.17为其电路图。输出...[全文]
- 由PNP晶体管进行电压放大的电路2012/5/11 20:23:55 2012/5/11 20:23:55
- 图4.13是将在图4.4设计的FM24C16B-GTR电压放大级的Tri用PNP晶体管来组成的电路。即使使用PNP晶体管，偏置电路以后的电路仍完全相同。为了能与图4.4作比较，将电压放大部...[全文]
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