封装控制要求
发布时间:2012/5/2 19:48:28 访问次数:627
密封继电器都要求真空焙烘后充MJD127T4G高纯氮。真空焙烘的温度和时间是关键，对继电器内部的水汽含量有着较大的影响。继电器一般采用熔焊密封，要求罩子和底板过盈配合。
工艺改进措施
由于JRC-200M型继电器密封性要求泄漏率不大于1×10-3 Pa．CITI3/S，所以诙产品的密封采用的是电子束熔封，因而对底座与罩子的配合要求较高。初期由于配合尺寸和加工工艺的不足造成熔封合格率低，经分析后我们在设计和工艺上对底板与罩子的配合进行了改进（改进效果见表6.3）。通过采取上述设计改进和工艺改进措施，产品熔封合格率由30%提高到现在的95%以上。
密封继电器都要求真空焙烘后充MJD127T4G高纯氮。真空焙烘的温度和时间是关键，对继电器内部的水汽含量有着较大的影响。继电器一般采用熔焊密封，要求罩子和底板过盈配合。
工艺改进措施
由于JRC-200M型继电器密封性要求泄漏率不大于1×10-3 Pa．CITI3/S，所以诙产品的密封采用的是电子束熔封，因而对底座与罩子的配合要求较高。初期由于配合尺寸和加工工艺的不足造成熔封合格率低，经分析后我们在设计和工艺上对底板与罩子的配合进行了改进（改进效果见表6.3）。通过采取上述设计改进和工艺改进措施，产品熔封合格率由30%提高到现在的95%以上。
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