采用Al-Cu(4%)合金膜，175℃，J=4×l06 A．cni-2时，其MTF是UC3845纯铝70倍。原理是因为Cu超过固溶度时，Cu原子以CuCl：形成在晶界处沉积，或占据晶界空位，阻塞了Al离子沿晶界迁徙，从而提高了MTF。

          
    Al-Cu-Si（含Cu 2%，Si l%）合金膜不仅具有Al~Cu，Al-Si合金膜各自的优点，而且由于两种溶质原子(Cu与Si)的相互作用，在晶界处形成稳定合作物，相抑制在晶界间迁徙，因此它具有更高的抗电迁移能力。表4.6介绍了金属化条MTF与温度的关系，从表4.6可看出，Al-Cu-Si的抗电迁移能力最佳。表4.6金属亿条MTF与温度的关系。