金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)
发布时间:2012/4/26 19:30:35 访问次数:1630
MOSFET的核心是由金属一氧化物一半导体组ATF16V8B-15PU成的MOS结构，其基本结构是由MOS结构和两个背对背的PN结构成。在P型硅衬底上生长一厚度为tox的薄S102层，在氧化层上淀积金属或掺杂多晶硅的导电层作为栅极，并在栅极两侧利用扩散或离子注入的方法形成两高掺杂N+区，分别称为源区和漏区，其扩散深度即PN结的结深为z，再在其上制作金属导电层作为源极和漏极。源区和漏区之间的区域称为沟道区。两PN结结面之间的距离为MOSFET的沟道长度。MOS器件种类多样。在P型衬底上制作N+型源、漏区的，其导电沟道为N型，即输运电流的载流子是电子，称为NMOS；而在N型衬底上制作P+源、漏区，以空穴导电，称为PMOS。这是从导电载流子的极性来考虑，如从其工作方式来分，则有增强型和耗尽型两种基本类型。增强型MOS指的是：当栅极未加偏压时，不存在导电沟道，也就没有漏源电流，只有当外加栅电压大于某一特定的值（阈值电压）时才会形成导电沟道的器件，称为常闭型MOS( EMOS)；相反，耗犀型MOS指的是：当MOSFET制成后就已形成导电沟道，只要有漏源电压，不加栅电压也会有漏源电流，即称为常闭型MOS(EMOS)。理论上，NMOS和PMOS器件均有增强型和耗尽型之分。这就构成了4种基本类型的MOSFET。由于它比JFET的温度稳定性好集成化时工艺简单，而广泛用于大规模和超大规模的集成电路之中。
MOSFET的核心是由金属一氧化物一半导体组ATF16V8B-15PU成的MOS结构，其基本结构是由MOS结构和两个背对背的PN结构成。在P型硅衬底上生长一厚度为tox的薄S102层，在氧化层上淀积金属或掺杂多晶硅的导电层作为栅极，并在栅极两侧利用扩散或离子注入的方法形成两高掺杂N+区，分别称为源区和漏区，其扩散深度即PN结的结深为z，再在其上制作金属导电层作为源极和漏极。源区和漏区之间的区域称为沟道区。两PN结结面之间的距离为MOSFET的沟道长度。MOS器件种类多样。在P型衬底上制作N+型源、漏区的，其导电沟道为N型，即输运电流的载流子是电子，称为NMOS；而在N型衬底上制作P+源、漏区，以空穴导电，称为PMOS。这是从导电载流子的极性来考虑，如从其工作方式来分，则有增强型和耗尽型两种基本类型。增强型MOS指的是：当栅极未加偏压时，不存在导电沟道，也就没有漏源电流，只有当外加栅电压大于某一特定的值（阈值电压）时才会形成导电沟道的器件，称为常闭型MOS( EMOS)；相反，耗犀型MOS指的是：当MOSFET制成后就已形成导电沟道，只要有漏源电压，不加栅电压也会有漏源电流，即称为常闭型MOS(EMOS)。理论上，NMOS和PMOS器件均有增强型和耗尽型之分。这就构成了4种基本类型的MOSFET。由于它比JFET的温度稳定性好集成化时工艺简单，而广泛用于大规模和超大规模的集成电路之中。
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