高束流离子注入的一个问题是晶圆表面所带电荷（晶圆带电）大到无法接受的程度。AD7001ES高强度束流携带大量正电荷，使晶圆表面充电。正电荷从晶圆表面、晶圆体内和束流中吸引中和电子。高电压充电可以使表面绝缘层退化和破坏。晶圆带电是MOS薄栅介质层的特有问题【IO。用于中和或降低充电的方法：专门设计用于提供电子的电子枪(flood gun)，用等离子桥的办法提供低能电子iII I，同时通过磁场控制电子路径。12 3。

   图11. 24显示了用于生产层次的离子注入机的束流与能量的关系。高能离子注入机将离子如速到10 keV到3.0 MeV能量，束流最高可达1.0 mA。氧离子注入机用做SOI应用中的氧离子注入（见第16章）。

   离子注入机传统的分类是基于应用的。然而，更先进的离子注入机不能简单地划分，一些系统具有比传统类型含义更广的工艺窗口的能力。

   成功的离子注入依赖于只注入所需的原子。单一掺杂要求系统维持在低压下（优于10i6托）。风险在于任何残留在系统中的分子（比如空气）都可能被加速并到达晶圆表面。扩散泵或高真空冷泵被用来降低压力。这些系统的操作将在第12章中描述。