①氢气和硅烷混合气体以合理的流速从入口进入反应室并向出口流动,反应室尺寸OMAPL138BZWTA3远大于气体分子的自由程,主气流区是层流状态,气体有稳定流速。

   ②硅烷从主气流区以扩散方式穿过边界层到达衬底硅片表面,其中边界层是指主气流区与硅片之间流速受到扰动的气体薄层。

   ③硅烷以及在气态分解的含硅原子团被吸附在硅片的表面,成为吸附分子(原子团)。

    ④被吸附的硅和含硅原子团发生表面化学反应,生成的硅原子在衬底上聚集、连接成片、被后续硅原子覆盖成为淀积薄膜。

    ⑤化学反应的气态副产物氢气和未反应的反应剂从衬底表面解吸,扩散穿过边界层进人主气流区,被排出系统。

   从化学气相淀积的过程来看,与气相外延相似,也是由气相质量输运和表面化学反应两类过程完成薄膜淀积的。

   气相质量输运过程主要是指步骤②――硅烷及含硅原子团气体扩散穿越边界层到达衬底硅片表面,以及步骤⑤――衬底硅片表面分解反应生成的氢气扩散穿越边界层离开衬底表面。这两个步骤都是以扩散方式进行的。但是,淀积工艺没有外延工艺要求严格。淀积设各及其反应室形状种类更多,气流压力、流速范围更宽。在某些情况下反应室的气流可能出现紊流区,图72所示是立式反应器中浮力驱动的再循环流。此时的边界层应等同于气体流速趋于零的黏滞层(或称附面层),而源和气态副产物仍以扩散方式穿越黏滞层。因此,化学气相淀积的质量输运过程和气相外延的质量输运过程相同,反应气体以扩散方式进行质量输运。