半导体芯片制作过程中有许多热处理的步骤,如杂质激活、热扩散、金属合金化、氧化生R5F61527FPV长或沉积等。但制作深亚微米特征尺寸的超大规模集成电路,关键要获得极浅的pn结。虽然改变离子注的能量即可控制结深,但离子注人后,采用传统的扩散炉高温长时间退火I艺,会造成注人离子的严重再扩散。而且当设计几何尺寸小到0.35um、硅片直径从150mm增至200mm甚至更大时,传统的热处理炉不能完全满足工艺的要求。在这种情况下,只有R'ΓP I艺的高温短时间退火才能既保持离子注入原有的分布,又能满足超大规模集成电路的要求。

   RTP是将晶片快速加热到设定温度,进行短时间快速热处理的方法,热处理时间为10→~102s。过去几年问,RTP已逐渐成为微电子产品生产中必不可少的一项I艺,用于快速热氧化(RaⅡd Thermd O妯daooll,RT())、离子注入后的退火、金属硅化物的形成和快速热化学薄膜淀积。RTP能快速地将单个硅片加热到高温,避免有害杂质的扩散,减少金属污染,防止器件结构的变形和不必要的边缘效应,而且其温度控制比较精确,适合于制造高精度、特征线宽较小的集成电路。