化学束外延(Chcmicd Beam Epitaxy,CBE)是⒛世纪80年代中期发展起来的。它综合MAX1957EUB+了MBE的超高真空条件下的束流外延可以原位监测及MOC`⊙的气态源等优点。与CBE相关的还有气态源分子束外延(GSMBE)和金属有机化合物分子束外延(MOMBE)。它们之的主要区别是采用的气态源的情况不同。

   以ⅢV族化合物半导体外延生长为例,GSMBE是用气态的V族氢化物(AsH3、PH3等)取代MBE的固态As、P作源材料,AsH3、PH3等通过高温裂解形成砷、磷分子;MC)MBE则是用Ⅲ族金属有机化合物.如TEG、TMA(三甲基铝)等作为源材料,它们的气态分子经热分解形成Ga、Al等原子;CBE则是V族和Ⅲ族源均采用上述的气态源。掺杂源可以用固态,也可以用气态。CBE的生长过程是Ⅲ族金属有机化合物分子射向加热衬底表面、热分解成Ⅱ族原子和碳氢分子根.再与经高温裂解后形成和到达衬底的Ⅴ族原子反应,其生长速率取决于衬底温度和Ⅲ族金属有机化合物分子的到达速率。