- 双集束型装备2017/11/30 21:33:28 2017/11/30 21:33:28
- 本节研究的是图3.1所示的双集束型装备的调度问题。一般不做特殊说明,有如下前提假设。FBMH1608HM601-T(1)每个单集束型装备都至少含有一个PM。(2)每个...[全文]
- 集束型装备仿真建模过程 2017/11/29 21:50:39 2017/11/29 21:50:39
- Petri网模型可以描述一个离散事件系统的逻辑关系和动态行为,但集束型装备的运行控制与K9F5608UOB-PCBO调度是现场工程技术人员负责的工作,Pc廿i网模型的资源和活动表述相对而言较为抽...[全文]
- 集束型装备调度问题一股受以下约束条件限制2017/11/26 14:39:32 2017/11/26 14:39:32
- 集束型装备调度问题一股受以下约束条件限制。A915BY-470M(1)加工时间约束。要求晶圆在加工模块上的加工时间必须满足一定的约束条件,否则会影响晶圆质量。(2)加...[全文]
- 半导体芯片制造业是一个尖端技术及高附加值产业2017/11/24 20:33:32 2017/11/24 20:33:32
- 半导体芯片制造业是一个尖端技术及高附加值产业,对国民经济的发展具有巨大的战略价值,H1102NL世界各国政府都将其视为国家的骨干产业。在世界制造业中心向亚太地区转移的大背景下,在国家产业政策的推...[全文]
- 中频电源能顺利启动2017/11/23 21:29:57 2017/11/23 21:29:57
- 故障现象:中频电源能顺利启动,并且中频电压也可以随调节功率电位器而上升,且M10H131FNR2电流表、电压表、功率表、频率表指示均正常,也能对工件加热。但当中频电压升到∞0Ⅴ时,就“咚”的一声...[全文]
- 中频电压与直流电压比值大2017/11/23 21:24:11 2017/11/23 21:24:11
- 故障现象:中频电源启动后,中频电压与直流电压比值大,调整困难。M05Y5V104Z16AH故障分析及处理:针对该故障现象,首先用万用表交流挡测量4个逆变晶问管的压降是否一致,中频信号变压器的接线...[全文]
- PODEM算法是由Goel等人提出的2017/11/22 20:45:45 2017/11/22 20:45:45
- 在通路敏化法的基础上,有一些效益更高的组合电路自动测试矢量生成方法,较著名的有D算法、PODEM算法和FAN算法。OB2263MPD算法...[全文]
- Scatter pIot(散点图)和CDF pIot(累积概率图)2017/11/20 21:08:55 2017/11/20 21:08:55
- ScatterpIot(散点图)和CDFpIot(累积概率图)在考查变量之闸的关系时,常常利用scatterplo1。此外,利用symb°l或者color对数据点进乍jlx分,可以...[全文]
- 多测试结构的Wafer示意图2017/11/19 17:19:58 2017/11/19 17:19:58
- yield定义的扩展:对于MPW(multipleproductwafer)的wafer而言,在同一套光罩(mask)上,可以摆放不同的产品。如图17.2所示,一套光罩上有a、b、c种不同的产品...[全文]
- 过程平均值的变化通常可由本准则判定2017/11/19 17:05:39 2017/11/19 17:05:39
- 准则5:连续3点中有2点落在中心线同一侧的Bl×以外,见图16。Ⅱ(e)。HCF4094M013TR过程平均值的变化通常可由本准则判定,它对于变异的增加也较灵敏。这里需要说明的是:3点中的2点可...[全文]
- 准则2:连续9点落在中心线同一侧2017/11/19 17:03:09 2017/11/19 17:03:09
- 准则2:连续9点落在中心线同一侧,见图16.11(b)。此准则是为了补充准则1而设计的,以改进控制图的灵敏度。出现图16.11(a)准则2的现象,主要是过程平均值减小的缘故。HCF4073M01...[全文]
- 测量速度通常由所选择的分光仪器2017/11/18 17:28:27 2017/11/18 17:28:27
- 在选择合适的椭偏仪的时候,光谱范围和测量速度通常也是一个需要考虑的重要因素。SC4519ASETRT可选的光谱范围从深紫外到红外,光谱范围的选择通常由应用决定,不同的光谱范围能够提供关于材料的不...[全文]
- 改变波长或人射角度2017/11/18 17:25:09 2017/11/18 17:25:09
- 改变波长或人射角度,会得到另外一组厚度值,而两组测量所得的厚度可能值中只有一个是相同的,SC4211STRT这就是正确的厚度。对于折射率相近的材料,在接近周期厚度时难以区分其迹线。通过测董不同人...[全文]
- 封装类型2017/11/16 20:52:43 2017/11/16 20:52:43
- (l)基本情况:SMI(13um数模混合制程,静电放电(elect∞staticdischa喟eEsD)的防护能力不稳定。人体放电模式(hun1anbodym。delHBM)在⒛00V失效(规范...[全文]
- 透射电镜样品制备最常用的是机械研磨和离子轰击减薄法2017/11/16 20:13:46 2017/11/16 20:13:46
- 在芯片级失效分析实验室,透射电镜样品制备最常用的是机械研磨和离子轰击减薄法。SC806IMLTRT样品用机械研磨到足够薄的厚度时,再佐以离子减薄技术作进一步的减薄和表面清洁。在FIB没问世及广泛...[全文]
- 启动环节调试的步骤如下:2017/11/14 21:11:49 2017/11/14 21:11:49
- 启动环节调试的步骤如下:PI74FCT2573TS(1)将检修与工作开关转换在“△作”状态,逆变开关放在“关”位置。(2)按下逆变开关,看直流电压表显示的直流电压是否...[全文]
- 用于CMP DfM流程产生CMP工艺模型的方法2017/11/12 17:11:39 2017/11/12 17:11:39
- 有很多T艺模型用来精确预测VI'SI丁艺CMP处理后的铜表面形貌1ⅡⅡ.在过去⒛年,SN74LS164MEL工业界和学术界活跃地验证这些模型的精确性。以一个覆盖CMP物理和化学多层级的模型为例,...[全文]
- 观察输出波形2017/11/9 12:20:02 2017/11/9 12:20:02
- (1)观察输出波形：H006-10402888利用瞬态分析(TimeDomain)，在Probe窗口中得到out点的波形，观察波形是否失真，单击菜单Trace>EvaluateMeasur...[全文]
- 负反馈对放大器性能会产生一定的影响2017/11/9 12:18:43 2017/11/9 12:18:43
- 负反馈对放大器性能会产生一定的影响：(1)直流负反馈可以稳定静态工作点。H0052AB(2)负反馈可以改变放大器的输入电阻和输出电阻：串联反馈使放大器输入电阻增大；并...[全文]
- 给出基本放大电路原理图2017/11/9 12:11:44 2017/11/9 12:11:44
- 1．给出基本放大电路原理图。HCPL06392．给出没有调节的放大电路的静态工作点，并列出直流扫描分析后得到的对静态工作点影响较大的元器件参数。3．给出...[全文]
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