在芯片级失效分析实验室,透射电镜样品制备最常用的是机械研磨和离子轰击减薄法。 SC806IMLTRT样品用机械研磨到足够薄的厚度时,再佐以离子减薄技术作进一步的减薄和表面清洁。在FIB没问世及广泛应用前,TEM由于其昂贵的价格和极其困难的定点试样制备技术,限制了TEM在IC失效分析中的应用。随着商用FIB,尤其是场发射双束FIB的问世,ΠB方法被广泛用于透射电镜样品制各、尤其对定点失效样品的制备起着革命性的推动作用。随着集成电路向深亚微米尺寸发展,某些关键尺寸,已经精确到纳米甚至几埃,SEM的分辨率已经不能满足超细微结构特征描述要求,TEM已经成为现代IC失效分析实验室的日常观测工具。遗憾的是,聚焦离子束轰击样品表面对样品表面造成的不可避免的损伤,离子损伤引起的薄膜试样表面非晶化,减弱TEM观察时的衬度。现在先进的低加速电压FIB,加速电 压从常规的30kV可调到5kV。深亚微米先进制程中引入的低介电常数、多孔介质,在TEM制样时,尤其容易受到离子损伤,低加速电压FIB的问世,极大地缓解了这一问题。