CVD是用来制备二氧化硅介质薄膜的主要工艺方法之一,在集成电路工艺中,CX/lD二氧化硅薄膜的应用极为广泛。

   CVD二氧化硅与热氧化制备的二氧化硅结构相同,也是由⒏―O四面体组成的无定形网络结构。PIC12LF1552但是,CXTD二氧化硅与热氧化二氧化硅相比,密度略低,硅与氧的数量不是严格的化学计量比,因此,薄膜的电学特性等也就与热氧化二氧化硅有所不同。高温淀积或者在淀积之后进行高温退火,都可以使C`0二氧化硅薄膜的特性接近于热氧化生长的二氧化硅的特性。

    采用C`①方法制备的二氧化硅有多种,通常可以依据掺杂剂种类划分为未掺杂(或称本征)二氧化硅(USG)、掺磷的磷硅玻璃(PSG),以及掺硼和磷的硼磷硅玻璃(BPSG)。也可以依据淀积温度划分为高温、中温、低温二氧化硅。高温CXTD工艺温度在900℃左右,现已很少采用。当前工艺中主要采用的有低温CVD Sio,淀积温度在250~450℃之间;中温C、①siQ,淀积温度在650~750℃之间。另外,还可以依据C、0工艺方法划分为APC、⊙siO2、I'PC`0si()2、PEC`①si02。不同种类、不同I艺方法,以及不同温度淀积的C飞冫Vs02,其质量和特性不尽相同,相应的用途也就有所不同。CVD SiO2是一类淀积介质薄膜,主要用于在前期已完成了一些工艺操作过程,衬底表面无法再采用热氧化方法生长,或者衬底无法承受高温的二氧化硅薄膜工艺。C、①sio2主要是作为多层布线中多晶硅与金属层之问,或者是金属层之间的绝缘层;扩散和离子注入工艺中的掩膜;防止杂质外扩的覆盖层及钝化层等。