有很多T艺模型用来精确预测VI'SI丁艺CMP处理后的铜表面形貌1ⅡⅡ.在过去⒛年,SN74LS164MEL工业界和学术界活跃地验证这些模型的精确性。以一个覆盖CMP物理和化学多层级的模型为例,这个模型包括品圆和纂底相互作用、磨料和基底相互作用、磨料和晶圆相互作用以及晶圆和化学作用]。图13.12给出F产生CMID模型流程步骤。正如我们曾经指出的LⅡ,在芯片测试中,足够多的测试图形是用于建模凹陷、腐蚀、金属层厚度波动的基本要求。利用原子力形貌(AFP)测董得到的硅片上的数据对相互作用模型进行数值校正,可以得到DFM模型。图13。13给出r测试芯片的照片、ΛFP扫捕的方向和定位以及模拟结果和测量数据的对比。