在高乃金属栅之外,另一种等效扩充的方法是增加通过器件沟道的电子或空穴的迁移率。R1EX24064ATAS0G表2.5列举了一些提高器件载流子迁移率的手段及其对PMOS或者NM(,S的作用。 表2.5 不同技术手段对载流子迁移率的提高作用 应力技术是提高MOS晶体管速度的有效途径,它可改善NMOS晶体管电子迁移率和PMOS晶体管空穴迁移率,并可降低MC)S晶体管源/漏的,应变硅可通过如下3种方法获得:①局部应力工艺,通过晶体管周围薄膜和结构之间形成应力;②在器件沟道下方嵌人

SiGe层;③对整个晶圆进行处理:

   局部应力I艺已经被广泛应用来提升CMOS器件性能。源漏区嵌人式锗硅技术产生的压应力已经被证明可以有效提高PMOS器件的驱动电流。另外,源漏区嵌人式碳硅技术产生的拉应力可以提高NM(B器件的驱动电流。应力记忆技术在NMOS器件性能提升中得到使用。金属前通孔双极应力刻蚀阻挡层技术也是有效的局部应力I艺,拉应力可以提高NMOS的器件性能,而压应力可以提高PMOS的器件性能。