- NOR闪速存储器写周期的时序2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- 写周期的详细情况将在后面进行描述，这里要说明的是，写周期在闪速存储器中利用we的存取操作不是类似ram那样的向指定地址的直接写人操作，而是通过指令对闪速存储器进行操作。与nand闪速存储器相...[全文]
- 闪速存储器指令2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- 通过地址与数据特定组合的若干次写人序列，向闪速存储器发出指令。利用这样的序列，防止由于编程错误及开通电源的暂时不稳定等因素所引发偶然擦除及写人操作。 am29f010a的指令定义如表所示。...[全文]
- EEPROM的概要2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- eeprom从大方面分为并行eeprom和串行eeprom。并行eeprom通过与闪速存储器相同的引脚配置可以并行输人输出数据；而串行eeprom通过8引脚等较小的封装一位一位进行数据传输。...[全文]
- SPI总线对应的存储器的操作2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- spi总线的工作本身与microwire总线基本上没有太大的变化。图1表示m95256的存储器读周期。读命令的指令代码为“00000011”，但传送完该代码后，16位的地址由高位开始按顺序被...[全文]
- NAND闪速存储器的数据读操作2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- tc58v64的读操作如图1所示。随着指令，利用节指定读出开始地址，开始进行数据读操作，地址及指令在we信号的上升沿被锁存。 图1 tc58v64的读操作 读操作时地址的指定...[全文]
- NAND闪速存储器的状态读的操作2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- 状态读的操作如图1所示，如果跟着指令70h作，则读出存储器的状态。存储器的状态数据如图2所示。 图1状态读操作 图2tc58v64的状态 欢迎转载，信息来源维库电子...[全文]
- NAND闪速存储器的自动页编程操作2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- 自动页编程操作按照如下的程序进行： ①发出数据输人指令（80h）； ②地址／数据输入； ③发出自动编程指令（10h）。 图对上述流程进行了图示。在器件的内部工作中，在②中所给予的...[全文]
- NAND闪速存储器的自动块擦除2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- 自动块擦除是将指定的块的内容一次性设为ffh。正如先前所描述的那样，虽然写人操作是以页（528字节）为单位进行的，但擦除只能以块为单位进行。由于块擦除所提供的地址是块地址，所以占有2个字节。...[全文]
- NAND闪速存储器的复位操作2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- 复位操作通过指令代码ffh的写人来进行。一旦发出该指令，内部用于编程／擦除的升压电路将断开，编程／擦除电压放电直至电压为0v。在放电这段时间内，r／b信号维持为busy状态（低电平）。 利...[全文]
- NAND闪速存储器的ID读操作2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- id代码是为了主机自动识别与总线连接的器件的制造商名称／器件型号而设置的。id读指令用于读取该id代码。 图1图示了id读操作的流程。图2图示了发送id读指令的操作。 图1 i...[全文]
- UV－EPROM的单元结构2008/11/18 0:00:00 2008/11/18 0:00:00
- uv eprom的单元结构如图所示。其基本结构与在下一章中说明的闪速存储器相同。uv-eprom的存储单元是由mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）构成的，在它的控制栅和n沟道间有一个...[全文]
- UV－EPROM的写入与擦除2008/11/18 0:00:00 2008/11/18 0:00:00
- 写入时，通过给栅极加上高电压vpp，如图1所示，向浮置栅注入电荷。注人后的电荷由于不具备穿透硅氧化膜能壁的能量·因而只能维持现状。 图1 uv－eprom的写入 当浮置栅接收到...[全文]
- 一次性PROM2008/11/18 0:00:00 2008/11/18 0:00:00
- uv-eprom为了实现紫外线擦除功能而在封装的中心部位设置了能看到芯片的窗口。如果去掉该窗口的设置，而改为廉价的塑料封装，则不具各擦除（比特由“0”返回“1”）功能，这就是prom。在将u...[全文]
- UV－EPROM的输入输出信号2008/11/18 0:00:00 2008/11/18 0:00:00
- 作为uv-eprom的实例，我们以amd公司1m位（128k×8位）uv-eprom的am27c010为例进行说明。 am27c010的引脚配置如图1所示，图2是在其内部框图的基础上，根据...[全文]
- UV-EPROM的数据读（Data Read）操作2008/11/18 0:00:00 2008/11/18 0:00:00
- 这是读取rom内容的操作。一旦ce有效（低电平），则芯片处于使能（选择）状态，通过使oe有效，向外部输出rom内容的输出缓冲器将处于使能状态。利用17根地址总线（a0～a16），在128kb...[全文]
- 输出禁止（Output Disable）操作2008/11/18 0:00:00 2008/11/18 0:00:00
- 由于ge有效，所以芯片本身处于使能状态，但是根据oe，输出缓冲器将处于禁止状态。因为只要稳定地址总线，使ce有效，就可以针对rom内部的存储器单元进行访问，所以在输出禁止模式下，首先进行内部...[全文]
- UV-EPROM的待机（TTL/CMOS）操作2008/11/18 0:00:00 2008/11/18 0:00:00
- ce一旦变为高电平，则uv-eprom处于非选择状态。此时，根据ce的电压，损耗电流将逐渐改变。当ce是－般的高电平（＋2.0v以上）时，处于ttl待机状态。尽管如此，但如果ce进而增高到v...[全文]
- UV-EPROM的编程（Programming）操作2008/11/18 0:00:00 2008/11/18 0:00:00
- 这是写入操作，但并不只是单纯处于这种状态即可完成操作。由于规定了额定电压以及额定时间，因此编程操作是相当麻烦的。在闪速存储器中，由于时序控制是在器件内部的电路中自动进行的，所以主机方面只要发...[全文]
- UV-EPROM的编程验证（Program Verify）操作2008/11/18 0:00:00 2008/11/18 0:00:00
- 这是用于编程时检查写入是否正确的读出模式。在类型较旧的eprom中，是通过单一的长脉冲进行写人操作的，但由于操作时间过长，所以现在的eprom都采用新的方法，即给予短脉冲进行编程，读出的数据...[全文]
- UV-EPROM的编程禁止（Program Inhibit）操作2008/11/18 0:00:00 2008/11/18 0:00:00
- 即使处于加载了vpp电压的状态下，一旦ce为高电平，eprom也将成为非选择状态，这样的状态是编程禁止模式。使之处于该状态，譬如增加vpp电压，这时即使pgm有效，也不可能误写人数据c该编程...[全文]
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