- 状态寄存器2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 与闪速存储器相同，eeprom一旦开始向芯片的写人操作，则存储器单元将与外部总线分离，对于其间的读取操作将返回状态。m28010的状态寄存器如图所示。下面我们说明这些引脚的作用。 图 ...[全文]
- 存储卡引线框架模块2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 从技术的观点来看，无论是tab工艺还是柔性带载工艺都遗留下了一些遗憾的东西，它们并没有为减少劳动强度和成本提供更多的空间。在ta\b工艺里，卡体的生产由于模块的特性而变得相当艰苦；而在柔性带...[全文]
- FIFO存储器2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- fifo是first in／first－out的缩写，是先人先出的意思。fifo存储器分为写入专用区和读取专用区。读操作与写操作可以异步进行，写人区上写入的数据按照写入的顺序从读取端的区中读...[全文]
- 异步SRAM的信号2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 异步sram是128k×8位结构的1m位sram，我们以cy62l28为例进行说明。引脚配置如图所示，这是非常标准的配置，在其他生产商的许多产品中都能见到这种配置。在自制的sram主板上就使...[全文]
- 异步SRAM的基本操作2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 异步sram正如其名称，不是与特定的时钟信号同步运行，而是根据输人信号的状态运行的。因为没有信号表示读取时已确定了有效数据，也没有信号表示写入时已接收到数据，所以，需要获取制造商的数据手册，...[全文]
- SHAM时序的解析2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 在cy62128数据手册的时序图中，oe读控制操作、ce写控制操作以及we写控制操作的时序分别如图1至图3所示。其各种时序规定如表所示。 图1 oe读控制操作的时序 读操作的...[全文]
- 同步SRAM的意义2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 同步sram意如字义，是与时钟同步运行的sram。由于地址的提取以及数据的输出全部是与时钟同步，所以没有必要像异步sram那样必须分别考虑基于各种信号的时序，这是其最大的优势。 同步...[全文]
- 可编程只读存储器2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 尽管prom有一些重要的优点，但它并不用于智能卡微控制器。与rom相比，prom不需要在制造期间就编好程序，而可以在芯片装入模块之前才写入程序。prom也不需要用电源来保持数据。人们不采用这...[全文]
- 可擦除可编程只读存储器2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- eprom在智能卡技术的早期还被使用过。因为那时它是惟一不需加电来保持数据的存储器，而且是可写人的（只能一位一位地写）存储器。由于eprom只能用紫外光（uv）来擦除，在智能卡里无法擦除，这...[全文]
- 电可擦除可编程只读存储器2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 这种类型的存储器比rom和ram复杂得多。它用于在智能卡里存储有时需要修改或擦除的各种数据和程序。从功能上来说，eeprom就相当于pc中的硬盘，因为在没有电源的情况下数据仍然能保持，并在需...[全文]
- 闪速可擦除可编程只读存储器2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 闪速（flash）eeprom作为一种分立元件已经使用很多年了，它们在结构和运用等方面都与eeprom类似。闪速eeprom和eeprom之间的基本差异就在于其写入处理方面，闪速eeprom...[全文]
- 铁电随机存取存储器2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- fram是半导体技术的新发展。顾名思义，fram不像ram那样的易失性。相反，它不需要用电源来保持数据。在fram里是利用铁电材料的特性来存储数据的，结构与eeprom的结构相类似，而只是在...[全文]
- 随机存取存储器2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- ram是智能卡存储器的一部分，在会话期间，可以对其中的数据进行存储与修改。存取的次数是不限的。bam需要加电运行，那怕只是瞬间关闭电源，bam中的内容就不再存在了。 一个ram单元包含...[全文]
- SRAM主板的制作2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 为了实际使用一次sram，我们尝试制作附加了与isa总线（pc104）相连接的电池各份的异步sram主板。 本次制作的电路如图1所示，电路中pld（memdec）的内部电路如图2所示。存储...[全文]
- ISA总线存储器周期的注意事项2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- isa总线基于ibm鼻祖计算机所具有的1mb空间的8位总线，扩展成为具有16mb空间的16位总线。在兼容性保持方面给予了足够的重视，具体地说就是将isa总线分成两个插口（cardedge），...[全文]
- SRAM存储器主板的基本设计2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 1. 地址缓冲器 在提供给存储器的sa0～sa15地址中加人缓冲器。缓冲器利用74ls244也可以，但因为741ls245布线简单，所以通过74ls245可单向使用。 2. 数据缓...[全文]
- SRAM存储器主板的操作确认2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 对已完成的sram存储器主板进行操作。在msdos模式下启动，利用debug指令，从d0000h开始试着进行数据的读／写操作。如果确认了主板能够正常运行，则为各份电源连接器（cn2）提供电源...[全文]
- 双端□SRAM的读操作2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 图表示了双端口sram读操作的波形。与异步sram相同，确定地址后，在ce0为低电平、ce1为高电平时器件被选择，通过r／w为高电平和面为低电平，确定读操作状态，从而读出数据。而主机方面只要...[全文]
- 双端口SRAM的写操作2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 图表示了双端口sram写操作的波形，从图形可知，也是同异步sram相同的操作。在该示例中，oe仍然无效，先确定r／w信号后，通过ce信号进行写入操作。图中ce0、ce1虽然同时发生变化，但也...[全文]
- 双端口SRAM的BUSY状态2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 双端口sram虽然可以同时进行来自两个端口的存取操作，但不可以在同时对同一地址进行存取操作（发生冲突）。在一个端口完成存取操作之前，另一个端口必须等待。我们利用busy信号完成这种功能。 ...[全文]
公网安备44030402000607
