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NAND闪速存储器的自动页编程操作

发布时间:2008/11/19 0:00:00 访问次数:415

  自动页编程操作按照如下的程序进行:

  ①发出数据输人指令(80h);

  ②地址/数据输入;

  ③发出自动编程指令(10h)。

  图对上述流程进行了图示。在器件的内部工作中,在②中所给予的数据不是直接写人存储器中的,而是先暂时存人页缓冲器中。通过③开始送出写入指令,然后转发到②所提供的页地址处。

图 自动页编程的操作流程

  此时,在芯片内部进行写人验证。如果正常,则恢复r/b设置为ready状态(为高电平)后正常结束。如果由于某些异常导致写人验证未正常进行的,则在内部自动进行重试,如果重试达到所规定的次数,则将r/b设置为ready状态的同时结束异常。

  欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com)




  自动页编程操作按照如下的程序进行:

  ①发出数据输人指令(80h);

  ②地址/数据输入;

  ③发出自动编程指令(10h)。

  图对上述流程进行了图示。在器件的内部工作中,在②中所给予的数据不是直接写人存储器中的,而是先暂时存人页缓冲器中。通过③开始送出写入指令,然后转发到②所提供的页地址处。

图 自动页编程的操作流程

  此时,在芯片内部进行写人验证。如果正常,则恢复r/b设置为ready状态(为高电平)后正常结束。如果由于某些异常导致写人验证未正常进行的,则在内部自动进行重试,如果重试达到所规定的次数,则将r/b设置为ready状态的同时结束异常。

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