- 同步DRAM的读操作2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 同步dram的读操作示例如图所示,所有操作都是以时钟的上升沿为基准进行的,与前面的状态迁移图结合相信会更容易明白。 图 sdram的读操作 (1)行地址与存储块编号的指定 ...[全文]
- 同步DRAM的写操作2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 同步dram的写操作如图所示,与读操作相同,都是与时钟上升沿同步地赋予指令及数据的。 图 sdram的写操作 (1)行地址与存储块编号指定 向处于idle状态的同步dra...[全文]
- DDR-SDRAM的信号2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- ddr sdram的信号例如图1所示,在这里,作为4m×16位×4块结构的256m位的ddr sdram,我们以elpida公司(neo与日立的合资公司)的hm5425161b为例进行说明。...[全文]
- DDR-SDRAM的操作2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- ddr sdram的读操作如图所示。发出act指令后,只经过trcd时间后发出所要进行的read指令,这一流程是与同步dram相同的,是与clk的上升沿同步进行的。从图中我们可知道,之后的数...[全文]
- DDR SDRAM的写操作2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- ddr sdram的写操作如图所示。仍然是与同步dram相同,瞪着act指令的发出而发出write指令。但ddr-sdram数据不是与write指令同时发出的,而是在一个时钟后赋予数据,这是...[全文]
- 预付款存储卡2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 对电子钱包系统来说,我们决不应忽略存储卡,它们是以预付款电子钱包形式大量生产的,并在很多应用中使用,这种情况在最近几年间不会改变。虽然,存储卡将缓慢而稳定地被微控制器智能卡所替代,但它们的优...[全文]
- Microwire总线的存取操作2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 如前所述,microwire总线的存取操作是以时钟的上升沿为基准进行的。总线的大概工作情况如图1所示,时钟上升时,如果s输入为高电平,则器件处于选择状态。d输人一旦成为高电平,则识别为起始位...[全文]
- I2C总线与串行EEPROM2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 在i2c总线上,数据是串行传输的,但数据的读/写是以8位为单位的,不可以只指定存储器内部某特定的比特位进行读或者替换操作,至少需要以8位为单位进行存取。 m24cxx与主机的连接实例如图1...[全文]
- I2C总线的基本操作2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- i2c总线上只具有sol(时钟)和sda(数据)2根信号线。如果是单纯的串行传输,一旦因为某种原因造成引脚的偏差,则可能会造成不能区分总线上传输的是数据还是地址信息的后果。解决上述问题的简单...[全文]
- I2C总线的写操作的流程2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 在i2c总线上传输操作是以8位+ack/noack共计9位为单位进行的。发送是从位7(msb)开始进行的,虽然一般的串口(pc机的com端口等)是由位0(lsb)开始发送的,但i2c总线是相...[全文]
- I2C总线的读操作的流程2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- m24cxx的读操作模式及其各种模式的操作流程如图1、图2所示。 1. 当前地址读 eeprom内部具有保持当前地址的寄存器。读取当前地址的数据时,不需要指定地址。只要单纯给出读指令...[全文]
- 扩展I2C总线存储器2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 如前所述,因为8位地址不够用而导人的总线称为扩展i2c总线。除了地址指定为2字节以外,其他的处理过程完全相同。图1和图2分别表示写和读时的操作。地址是按高位(a15~a8)和低位(a7~a0...[全文]
- 异步SRAM2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 最一般的就是具备地址总线及数据总线的sram,最具代表性的如图所示。根据用途,可以化分为两种,一种是需要低功耗/大容量化的sram;另一种是注重随机存取速度的sram。 图 异步sra...[全文]
- 同步SRAM2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 同步sram是与时钟同步运行的意思,一般应用于作为高速缓冲存储器使用的、称为同步管道突发式(synchronous pipelineburst)sram中,其他还包括同步突发式(follow...[全文]
- 双端口SRAM2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 普通的存储器器件为单端口,也就是数据的输入输出只利用一个端口,设计了两个输入输出端口的就是双端口sram。虽然还具有扩展系列的4端口sram,但双端口sram已经非常不错了。图1表示双端口s...[全文]
- 异步类型的双端口SRAM2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 作为异步类型的双端口sram,我们以cypress公司的cy7c019为例,cy7c019的内部框图如图所示。 图 cy7c019的内部框图 中央部分为双端口存储器阵列,并列...[全文]
- EEPROM指令设置2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- m95256所拥有的指令如表所示,共有6种。与对存储器单元的读/写操作相关的只有read和write。我们已经了解到microwire总线所拥有的擦除等指令已被删除。 表 m95265...[全文]
- I2C总线对应的存储器2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- i2c总线是philips公司所提倡的两线式的简单接口。它不但应用于eeprom,而且还应用于lcd驱动器以及ram、i/o端口等。i2c总线上不但能连接若干个从属控制器,还可以连接多主...[全文]
- 并行EEPROM2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 作为并行eeprom的实例,我们举出st microelectronics公司1mb的m28010来进行说明。dip式的引脚配置如图所示:与amd闪速存储器命名信号名称的方式不同,du等同于...[全文]
- EEPROM的基本的存取操作2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- m280l0基本的存取过程与闪速存储器完全相同,只包括对器件的读操作及写操作两种。擦除以及保护功能等可以通过写操作发出一系列的指令序列来进行。 1. 读操作 eeprom的读操作如图1...[全文]