- 同步DRAM的读操作2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 同步dram的读操作示例如图所示，所有操作都是以时钟的上升沿为基准进行的，与前面的状态迁移图结合相信会更容易明白。 图 sdram的读操作 （1）行地址与存储块编号的指定 ...[全文]
- 同步DRAM的写操作2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 同步dram的写操作如图所示，与读操作相同，都是与时钟上升沿同步地赋予指令及数据的。 图 sdram的写操作 （1）行地址与存储块编号指定 向处于idle状态的同步dra...[全文]
- DDR－SDRAM的信号2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- ddr sdram的信号例如图1所示，在这里，作为4m×16位×4块结构的256m位的ddr sdram，我们以elpida公司（neo与日立的合资公司）的hm5425161b为例进行说明。...[全文]
- DDR－SDRAM的操作2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- ddr sdram的读操作如图所示。发出act指令后，只经过trcd时间后发出所要进行的read指令，这一流程是与同步dram相同的，是与clk的上升沿同步进行的。从图中我们可知道，之后的数...[全文]
- DDR SDRAM的写操作2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- ddr sdram的写操作如图所示。仍然是与同步dram相同，瞪着act指令的发出而发出write指令。但ddr－sdram数据不是与write指令同时发出的，而是在一个时钟后赋予数据，这是...[全文]
- 预付款存储卡2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 对电子钱包系统来说，我们决不应忽略存储卡，它们是以预付款电子钱包形式大量生产的，并在很多应用中使用，这种情况在最近几年间不会改变。虽然，存储卡将缓慢而稳定地被微控制器智能卡所替代，但它们的优...[全文]
- Microwire总线的存取操作2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 如前所述，microwire总线的存取操作是以时钟的上升沿为基准进行的。总线的大概工作情况如图1所示，时钟上升时，如果s输入为高电平，则器件处于选择状态。d输人一旦成为高电平，则识别为起始位...[全文]
- I2C总线与串行EEPROM2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 在i2c总线上，数据是串行传输的，但数据的读／写是以8位为单位的，不可以只指定存储器内部某特定的比特位进行读或者替换操作，至少需要以8位为单位进行存取。 m24cxx与主机的连接实例如图1...[全文]
- I2C总线的基本操作2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- i2c总线上只具有sol（时钟）和sda（数据）2根信号线。如果是单纯的串行传输，一旦因为某种原因造成引脚的偏差，则可能会造成不能区分总线上传输的是数据还是地址信息的后果。解决上述问题的简单...[全文]
- I2C总线的写操作的流程2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 在i2c总线上传输操作是以8位＋ack／noack共计9位为单位进行的。发送是从位7（msb）开始进行的，虽然一般的串口（pc机的com端口等）是由位0（lsb）开始发送的，但i2c总线是相...[全文]
- I2C总线的读操作的流程2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- m24cxx的读操作模式及其各种模式的操作流程如图1、图2所示。 1. 当前地址读 eeprom内部具有保持当前地址的寄存器。读取当前地址的数据时，不需要指定地址。只要单纯给出读指令...[全文]
- 扩展I2C总线存储器2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 如前所述，因为8位地址不够用而导人的总线称为扩展i2c总线。除了地址指定为2字节以外，其他的处理过程完全相同。图1和图2分别表示写和读时的操作。地址是按高位（a15～a8）和低位（a7～a0...[全文]
- 异步SRAM2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 最一般的就是具备地址总线及数据总线的sram，最具代表性的如图所示。根据用途，可以化分为两种，一种是需要低功耗／大容量化的sram；另一种是注重随机存取速度的sram。 图 异步sra...[全文]
- 同步SRAM2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 同步sram是与时钟同步运行的意思，一般应用于作为高速缓冲存储器使用的、称为同步管道突发式（synchronous pipelineburst）sram中，其他还包括同步突发式（follow...[全文]
- 双端口SRAM2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 普通的存储器器件为单端口，也就是数据的输入输出只利用一个端口，设计了两个输入输出端口的就是双端口sram。虽然还具有扩展系列的4端口sram，但双端口sram已经非常不错了。图1表示双端口s...[全文]
- 异步类型的双端口SRAM2008/11/22 0:00:00 2008/11/22 0:00:00
- 作为异步类型的双端口sram，我们以cypress公司的cy7c019为例，cy7c019的内部框图如图所示。 图 cy7c019的内部框图 中央部分为双端口存储器阵列，并列...[全文]
- EEPROM指令设置2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- m95256所拥有的指令如表所示，共有6种。与对存储器单元的读／写操作相关的只有read和write。我们已经了解到microwire总线所拥有的擦除等指令已被删除。 表 m95265...[全文]
- I2C总线对应的存储器2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- i2c总线是philips公司所提倡的两线式的简单接口。它不但应用于eeprom，而且还应用于lcd驱动器以及ram、i／o端口等。i2c总线上不但能连接若干个从属控制器，还可以连接多主...[全文]
- 并行EEPROM2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 作为并行eeprom的实例，我们举出st microelectronics公司1mb的m28010来进行说明。dip式的引脚配置如图所示：与amd闪速存储器命名信号名称的方式不同，du等同于...[全文]
- EEPROM的基本的存取操作2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- m280l0基本的存取过程与闪速存储器完全相同，只包括对器件的读操作及写操作两种。擦除以及保护功能等可以通过写操作发出一系列的指令序列来进行。 1. 读操作 eeprom的读操作如图1...[全文]
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