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DRAM的隐藏刷新2008/11/21 0:00:00
2008/11/21 0:00:00
  一般地,dram控制器内部都设计成在一定周期内要请求dram刷新操作,协调该请求与来自主机(一般为cpu)的访问,然后进行dram刷新操作或者存取操作。简单的如图1所示。   图1 d...[全文]
DRAM的自刷新2008/11/21 0:00:00
2008/11/21 0:00:00
  这是为适应低功耗等需求而设计的模式。由于dram的刷新电路一般都设计在外部,因而即使在待机状态下,为了进行刷新操作也需要运行dram控制器电路。  对此,在dram内部嵌人刷新计时器以及刷新...[全文]
DRAM的快速访问模式2008/11/21 0:00:00
2008/11/21 0:00:00
  观察对dram单元的访问方式即可明白,在多路复用地址以及读操作之前必须进行预充电,以及利用读出放大器进行放大等,所以不太擅长随机访问。但是,在实际中的存储器访问中,持续访问连续的区域是很常见...[全文]
DRAM的静态列模式2008/11/21 0:00:00
2008/11/21 0:00:00
  静态列模式操作的概况如图所示。在-般的存取操作中,如果通过case指定地址,那么就只出现其列地址的数据。但如果保持cas有效而切换地址,则成为切换列地址的模式。在dram内部,只要切换列选择...[全文]
DRAM的半字节(nibble)模式2008/11/21 0:00:00
2008/11/21 0:00:00
  半字节模式的dram如图1所示,在dram的输出缓冲器部位设计了4字(word)锁存器。通过这个锁存器,对于起始地址的砝字数据,可以不赋予列地址而进行迮续的输出。只要认为这正好类似于管线突发...[全文]
DRAN的页摸式2008/11/21 0:00:00
2008/11/21 0:00:00
  页摸式是在通常利用has及ca-s的访问盾,通过每次重新赋予cas和列地址,对同一行地址中任意列地址进行访问的方式,图表示页摸式的操作。   图 页模式   最初第一回的访问与通常的...[全文]
DRAM的快速翻页模式2008/11/21 0:00:00
2008/11/21 0:00:00
  在页模式中,因为当cas有效时是不能改变地址的,所以dram控制器需要锁存数据后使cas无效,然后切换地址。将这种方式进行改善,通过在cas下降沿锁存列地址,在cas有效期间进行下一列地址的...[全文]
DRAM的EDO模式2008/11/21 0:00:00
2008/11/21 0:00:00
  在快速翻页模式中,如果cas无效,则将停止dqn的驱动,数据将随之消减。取代这种方法,而采用即使cas无效,也能保持数据输出的方法,即采用edo(expansion data output,...[全文]
UV-EPROM的读操作2008/11/19 0:00:00
2008/11/19 0:00:00
  接下来我们看一下uv-eprom的读操作。无论怎么说,这只是作为rom(read only memory,只读存储器)的操作,因而非常简单。   将地址总线(a0~a16)设置为希望访问的地...[全文]
UV-EPROM写入方式的变迁2008/11/19 0:00:00
2008/11/19 0:00:00
  uv-eprom编程的关键在于向浮置栅中注人的电荷,与读操作相比需要非常长的时间,为此一直在进行着写人方式的改善。   从很早期到64k位的eprom时期,经常使用的是50ms的固定脉冲方式...[全文]
UV-EPROM擦除器的制作2008/11/19 0:00:00
2008/11/19 0:00:00
  uv-eprom的擦除操作是通过紫外线进行的。市场上虽然也有擦除器销售,但利用市场上销售的紫外线灯(杀菌灯)可以自己制作擦除器。制作非常简单,笔者曾经尝试着制作了一个。   1. eprom...[全文]
闪速存储器的概要2008/11/19 0:00:00
2008/11/19 0:00:00
  闪速存储器的基本存储器单元结构如图1所示。一眼看上去就是n沟道的mosfet那样的东西,但又与普通的fet不同,特点是在栅极(控制栅)与漏极/源极之间存在浮置栅,闪速存储器利用该浮置栅存储记...[全文]
闪速存储器的分类及特征2008/11/19 0:00:00
2008/11/19 0:00:00
  闪速存储器根据单元的连接方式,如表所示,可分成nand、nor、dinor(divided bit line nor)及and几类。nand闪速存储器单元的连接方式如图1所示,nor闪速存储...[全文]
NAND闪速存储器的内部结构2008/11/19 0:00:00
2008/11/19 0:00:00
  tc58v64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大,则块数也将增加,但内部的基本结构没有改变。 图 tc58v64的内部结构   nand闪速存储器的特点  ①按顺序存取数据; ...[全文]
NOR闪速存储器的引脚配置2008/11/19 0:00:00
2008/11/19 0:00:00
  在器件的使用方面,必须了解引脚配置以及各个引脚所代表的意思,因此我们现在首先调查引脚的配置。下载am29f010a的数据手册后,没有关于dip封装的记载。但是,因为事实上am29f010的d...[全文]
NOR闪速存储器信号的种类2008/11/19 0:00:00
2008/11/19 0:00:00
  am29f010引脚的分组如图所示。am29f040只是地址总线增加到18根,没有nc引脚,其他方面与am29f010完全相同。闪速存储器的操作与地址、数据、ce、oe、we的组合如表所示。...[全文]
NOR闪速存储器与处理器的连接实例2008/11/19 0:00:00
2008/11/19 0:00:00
  表示闪速存储器与cpu的连接模式如图1所示。该图中信号名与信号的意思吻合isa总线,通过地址译码器对cpu地址的高位进行解码,如果属于闪速存储器范围.则使ce信号有效,将地址的低位赋予闪速存...[全文]
NOR闪速存储器的读周期的概要2008/11/19 0:00:00
2008/11/19 0:00:00
  下面我们来看看闪速存储器读周期的时序。基本的存取方法的思路如图所示。   图 闪速存储器的读操作   将希望访问的地址提供给a0~a16,一旦瓦、醌效(低电平),则由闪速存储器开始读...[全文]
NOR闪速存储器的写周期的概要2008/11/19 0:00:00
2008/11/19 0:00:00
  写周期的基本思路如图所示。因为这次是写的方向,所以oe保持高电平,由主机方面赋予数据(dq0~dq1)。   图 闪速存储器的写操作   当we和ce双方都为低电平时,进行写操作的地...[全文]
NOR闪速存储器读周期时序2008/11/19 0:00:00
2008/11/19 0:00:00
  下面我们看一下数据手册中原有的、具体的读周期时序。图是am29f010a的读操作的时序图,表是时序规定。与前所概述的内容相比较,在时序图当中,作为基点的电压存在两处,比概略图具有更多的时间规...[全文]
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