- DRAM的隐藏刷新2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 一般地，dram控制器内部都设计成在一定周期内要请求dram刷新操作，协调该请求与来自主机（一般为cpu）的访问，然后进行dram刷新操作或者存取操作。简单的如图1所示。 图1 d...[全文]
- DRAM的自刷新2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 这是为适应低功耗等需求而设计的模式。由于dram的刷新电路一般都设计在外部，因而即使在待机状态下，为了进行刷新操作也需要运行dram控制器电路。 对此，在dram内部嵌人刷新计时器以及刷新...[全文]
- DRAM的快速访问模式2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 观察对dram单元的访问方式即可明白，在多路复用地址以及读操作之前必须进行预充电，以及利用读出放大器进行放大等，所以不太擅长随机访问。但是，在实际中的存储器访问中，持续访问连续的区域是很常见...[全文]
- DRAM的静态列模式2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 静态列模式操作的概况如图所示。在－般的存取操作中，如果通过case指定地址，那么就只出现其列地址的数据。但如果保持cas有效而切换地址，则成为切换列地址的模式。在dram内部，只要切换列选择...[全文]
- DRAM的半字节（nibble）模式2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 半字节模式的dram如图1所示，在dram的输出缓冲器部位设计了4字（word）锁存器。通过这个锁存器，对于起始地址的砝字数据，可以不赋予列地址而进行迮续的输出。只要认为这正好类似于管线突发...[全文]
- DRAN的页摸式2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 页摸式是在通常利用has及ca－s的访问盾，通过每次重新赋予cas和列地址，对同一行地址中任意列地址进行访问的方式，图表示页摸式的操作。 图 页模式 最初第一回的访问与通常的...[全文]
- DRAM的快速翻页模式2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 在页模式中，因为当cas有效时是不能改变地址的，所以dram控制器需要锁存数据后使cas无效，然后切换地址。将这种方式进行改善，通过在cas下降沿锁存列地址，在cas有效期间进行下一列地址的...[全文]
- DRAM的EDO模式2008/11/21 0:00:00 2008/11/21 0:00:00
- 在快速翻页模式中，如果cas无效，则将停止dqn的驱动，数据将随之消减。取代这种方法，而采用即使cas无效，也能保持数据输出的方法，即采用edo（expansion data output，...[全文]
- UV-EPROM的读操作2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- 接下来我们看一下uv-eprom的读操作。无论怎么说，这只是作为rom（read only memory，只读存储器）的操作，因而非常简单。 将地址总线（a0～a16）设置为希望访问的地...[全文]
- UV－EPROM写入方式的变迁2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- uv-eprom编程的关键在于向浮置栅中注人的电荷，与读操作相比需要非常长的时间，为此一直在进行着写人方式的改善。 从很早期到64k位的eprom时期，经常使用的是50ms的固定脉冲方式...[全文]
- UV－EPROM擦除器的制作2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- uv-eprom的擦除操作是通过紫外线进行的。市场上虽然也有擦除器销售，但利用市场上销售的紫外线灯（杀菌灯）可以自己制作擦除器。制作非常简单，笔者曾经尝试着制作了一个。 1. eprom...[全文]
- 闪速存储器的概要2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- 闪速存储器的基本存储器单元结构如图1所示。一眼看上去就是n沟道的mosfet那样的东西，但又与普通的fet不同，特点是在栅极（控制栅）与漏极／源极之间存在浮置栅，闪速存储器利用该浮置栅存储记...[全文]
- 闪速存储器的分类及特征2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- 闪速存储器根据单元的连接方式，如表所示，可分成nand、nor、dinor（divided bit line nor）及and几类。nand闪速存储器单元的连接方式如图1所示，nor闪速存储...[全文]
- NAND闪速存储器的内部结构2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- tc58v64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大，则块数也将增加，但内部的基本结构没有改变。 图 tc58v64的内部结构 nand闪速存储器的特点 ①按顺序存取数据； ...[全文]
- NOR闪速存储器的引脚配置2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- 在器件的使用方面，必须了解引脚配置以及各个引脚所代表的意思，因此我们现在首先调查引脚的配置。下载am29f010a的数据手册后，没有关于dip封装的记载。但是，因为事实上am29f010的d...[全文]
- NOR闪速存储器信号的种类2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- am29f010引脚的分组如图所示。am29f040只是地址总线增加到18根，没有nc引脚，其他方面与am29f010完全相同。闪速存储器的操作与地址、数据、ce、oe、we的组合如表所示。...[全文]
- NOR闪速存储器与处理器的连接实例2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- 表示闪速存储器与cpu的连接模式如图1所示。该图中信号名与信号的意思吻合isa总线，通过地址译码器对cpu地址的高位进行解码，如果属于闪速存储器范围．则使ce信号有效，将地址的低位赋予闪速存...[全文]
- NOR闪速存储器的读周期的概要2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- 下面我们来看看闪速存储器读周期的时序。基本的存取方法的思路如图所示。 图 闪速存储器的读操作 将希望访问的地址提供给a0～a16，一旦瓦、醌效（低电平），则由闪速存储器开始读...[全文]
- NOR闪速存储器的写周期的概要2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- 写周期的基本思路如图所示。因为这次是写的方向，所以oe保持高电平，由主机方面赋予数据（dq0～dq1）。 图 闪速存储器的写操作 当we和ce双方都为低电平时，进行写操作的地...[全文]
- NOR闪速存储器读周期时序2008/11/19 0:00:00 2008/11/19 0:00:00
- 下面我们看一下数据手册中原有的、具体的读周期时序。图是am29f010a的读操作的时序图，表是时序规定。与前所概述的内容相比较，在时序图当中，作为基点的电压存在两处，比概略图具有更多的时间规...[全文]
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