- 串行接口2016/11/14 20:04:24 2016/11/14 20:04:24
- ①UART6:异步2线串行接口;W22-6R8JI②DALI:用于照明控制(从模式)的2线串行接口;③ⅡCA:时钟同步2线串行接口,支持多主机通信;④C...[全文]
- COB多颗芯片封装结构及实物2016/11/9 21:35:29 2016/11/9 21:35:29
- 根据表5.6,传统SMD封装的人M3066ANL工及其制造费用大概占物料的15%,CoB封装的人工及制造费用大概占物料的10%,所以采用COB封装,生产效率大概能提高5%;COB封装的系...[全文]
- 照明灯用发光材料 2016/11/7 20:55:31 2016/11/7 20:55:31
- 照明灯用发光材料,使用的激发源都是紫外光或近紫外光,这些短波长的光均是由含汞的惰性气体放电产生的。AD8552ARUZ只不过是低压汞灯(荧光灯)中对短波紫外光254nm转换效率高,而在高压汞灯中...[全文]
- V形图形化衬底2016/11/6 17:40:58 2016/11/6 17:40:58
- V形图形化蓝宝石衬底是利用高温湿法化学刻蚀的方法以混合酸刻蚀蓝宝石衬底表面,G24101MI-R其横截面示意图如图5-32所示,刻蚀深度一般为0.5um到2um。经过湿法化学刻蚀后的蓝宝石衬底,...[全文]
- 图形化蓝宝石衬底的制备工艺2016/11/6 17:35:56 2016/11/6 17:35:56
- 图形化蓝宝石衬底的制备工艺主要有℃P干法刻蚀和湿法化学刻蚀工艺。ICP干法刻蚀:先在蓝宝石衬底上沉积一层sio或光刻胶掩膜;G1PM109NLF然后利用标准光刻工艺在掩膜上制作光刻图形;最后利用...[全文]
- 化台物半导体 2016/11/3 21:30:10 2016/11/3 21:30:10
- 半导体是指常温下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料,按照材料的化学成分和结构特性可将半导体分为元素半导体、化合物半导体和合金(固溶体)半导体。A1104EU-T典型的元素半导体材料主要位于Ⅳ族,...[全文]
- 目前半导体照明产业中最广泛采用的实现白光发射的技术2016/11/3 21:23:43 2016/11/3 21:23:43
- 然而,相对于InGaN-G瘀蓝光LED和AlGaInP红光LED分别高达80%和ω%的电光转换效率,绿光LED的电光效率仅为30%,这极大地制约了这一技术在半导体照明中的应用。A1...[全文]
- 开启电压的物理意义是什么?2016/11/3 21:08:47 2016/11/3 21:08:47
- 1,开启电压的物理意义是什么?2.并联电阻抬高了开启电压前正/A065GW01特性的电流随正向偏压电压的变化率,该部分电流并不产生光辐射原囚是什么?...[全文]
- 热阻对色温的影响 2016/11/3 20:53:47 2016/11/3 20:53:47
- 随着LED性能的提高,单颗芯片的功率逐渐增大,很多应用情况下芯片的热流密度大于100W/cm2。AM29F400BT-90ED如果散热问题解决不好,热量集中在尺忄很小的芯片内,使得芯片内部温度越...[全文]
- 理论分析表明2016/11/2 22:14:49 2016/11/2 22:14:49
- 理论分析表明:RGB三基色LED的最大发光效率约为37411n/W(显色指数R四≤80),远高于同等显色指数下的蓝色LED激发黄色荧光粉的方案。LM3404HVMRX分析表明,要达到⒛01W`V...[全文]
- 载流子的复台 2016/10/31 20:30:58 2016/10/31 20:30:58
- 处于平衡状态的半导体,在一定温度下,电子浓度,90和空穴浓度助一定,对于非简并情况,AD9512BCPZ-REEL7它们的乘积也是一定值:但在一些外界条件作用下,如用光子能量大于半导体禁带宽度的...[全文]
- 辐射光源的光色指标 2016/10/29 21:12:39 2016/10/29 21:12:39
- 物体色必须借助光源照明才能呈色。光源本AAT3221IGV-3.0-T1身的颜色特性将直接影响人们感受的颜色。光源辐射的各种波长的辐射功率是各不相同的。光源辐射功率按波长的分布叫作...[全文]
- 系列教材以课题研究为理论支撑2016/10/27 20:06:11 2016/10/27 20:06:11
- 在上述工作基础上,国家半导体照明工程研发及产业联盟组织行业专家、学者,JF10R041-C1龙头企业负责人共同编写《半导体照明技术技能人才培养培训系列丛书》(以下简称《丛书》)。系...[全文]
- 抑制LCD交叉效应的措施2016/10/17 19:37:42 2016/10/17 19:37:42
- 抑制LCD交叉效应的措施交叉效应,即在LCD显示过程中,介于选择点与非选择点状态之间非显示的半选点电压偏高,导致部分非显示半选点横竖方向对比度偏高,造成显示的暗线或暗影的问题。G2...[全文]
- 屯路接地应在I/O区域与底盘有一个低阻抗连接2016/10/10 12:42:56 2016/10/10 12:42:56
- 对于场直接感应的噪声，一个外部的镜像平面+可以加到单层或双层PCB上，与一个板G1393P11U内接地层具有相同结果。这个平面可由金属箔或薄金属制成，并放置得与PCB尽可能地靠近。在射频频率，感...[全文]
- 铜( Cu)的熔点高2016/10/8 17:29:38 2016/10/8 17:29:38
- 铜(Cu)的熔点高，能够增AD1858JRS大结合强度。当其含量在1%以内时，会使蠕变阻力增加。焊料中含有少量的铜可以抑制焊锡对电烙铁头的熔蚀，但铜含量超过1%会使焊料熔点上升，流动性变差，焊点...[全文]
- 物质在磁场中应该表现出大体相似的特性2016/10/6 12:03:12 2016/10/6 12:03:12
- 为了正确地推断出失效机理．除了得到必要的失效现象和各种信息外，还必须IDT7027S20PF正确选择和使用分析手段，才能达到预期的目的。列出了密封电磁继电器的一般分析程序及检查分析的内容，具体分...[全文]
- 连接器接触对应具有规定功能要求的涂覆层2016/10/6 11:39:37 2016/10/6 11:39:37
- 连接器接触对应具有规定功能要求的涂覆层，在规定条件下和规定时间内具有抗环境应力腐蚀的能力。环境应力的种类和大小由相应的技术标准规定。HA179L09U-TL接触对应尽量避免不相容金属相互接触使用...[全文]
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