光刻工艺的基本步骤
发布时间:2016/8/3 21:55:59 访问次数:1637
在LED芯片制造中,需要经过好几次光刻,每一次完整的光刻工艺一般包括前烘、涂胶、软烤、曝光、显影、JST7812CV坚膜等基本步骤。要求特别高的光刻步骤往往在前烘前需要气相成底膜处理,即在将晶片用湿法清洗脏污后甩干,为了增强晶片与光刻胶之间的黏附性,用六甲基二硅胺烷(HMDS)做成底膜处理。目前在LED芯片制造中用HMDS成膜处理一般是在一个集脱水烘焙和气相成膜两种作用的真空腔中进行,这种方法可以实现批量处 理。如图4J所示,待处理晶片放在真空腔中的热板上,用氮气作为载气将HMDS蒸气通入腔室中,达到预先设定的压力对晶片进行成膜处理,完毕后将腔室中的气体抽空,然后通氮气到常压。
在LED芯片制造中,需要经过好几次光刻,每一次完整的光刻工艺一般包括前烘、涂胶、软烤、曝光、显影、JST7812CV坚膜等基本步骤。要求特别高的光刻步骤往往在前烘前需要气相成底膜处理,即在将晶片用湿法清洗脏污后甩干,为了增强晶片与光刻胶之间的黏附性,用六甲基二硅胺烷(HMDS)做成底膜处理。目前在LED芯片制造中用HMDS成膜处理一般是在一个集脱水烘焙和气相成膜两种作用的真空腔中进行,这种方法可以实现批量处 理。如图4J所示,待处理晶片放在真空腔中的热板上,用氮气作为载气将HMDS蒸气通入腔室中,达到预先设定的压力对晶片进行成膜处理,完毕后将腔室中的气体抽空,然后通氮气到常压。
相关技术资料- 8-3光刻工艺的基本步骤
- 相关IC型号
- JST7812CV
- 暂无最新型号
公网安备44030402000607
