- 不同窗口层A1GaInP LED的光功率-电流特性2016/8/3 21:13:17 2016/8/3 21:13:17
- 图3-17给出了两种窗口层AlGaInPLED的土/特性曲线。两种器件有相同的1,77Ⅴ正向导通电压、2.12理想因子和10丬A的反向漏电流。HER305在20mA正向注入电流下,AlGaAs窗...[全文]
- 窗口层材料的外延2016/8/3 20:56:43 2016/8/3 20:56:43
- 为了提高LED的光提取效率,需要在器件出光面增加一层窗口层。窗口层的作用有两个:第一个作用是增加电流的横向扩展,降低不透明电极的光吸收比例。HER303对于不同的GaP窗口层厚度,图3-15给出...[全文]
- 氮化物半导体异质结构2016/7/29 22:00:00 2016/7/29 22:00:00
- 氮化物半导体异质结构材料中,量子阱、量子线、量子点等二维、一维以BAV170-NXP及零维材料的电子能带结构与三维体材料的电子能带结构有着本质的差异,因此存在着光电性质的差别。首先,由于量子限制...[全文]
- 光致发光是用光激发发光体引起的发光现象2016/7/29 21:55:17 2016/7/29 21:55:17
- 光致发光是用光激发发光体引起的发光现象,它大致BAT760经过吸收、能量传递及光发射3个阶段(如图1-23所示)。光的吸收及发射都发生于能级之间的跃迁,都经过激发态。而能量传递则是由于电子在基态...[全文]
- 82C55的基地址是A口寄存器,而不是控制寄存器2016/7/20 19:57:02 2016/7/20 19:57:02
- 设某-51单片机系统分配给s9C55的基地址为F730S(即A口地址)。编写一F730S个将A口指定为方式1输入,C口上半部定为输出;B口指定为方式0输出,C口下半部定为输出的拟C55初始化程序...[全文]
- 中断请求标志2016/7/15 20:43:30 2016/7/15 20:43:30
- 80C51系列单片机共有6个中断申请标志位,分布在TCoN和sCON寄存器中。其中外EM3000XS部中断和定时器溢出中断由TCON控制,串行口中断则由sCON来控制。单片机复位后所有中断请求标...[全文]
- C51流程控制语句2016/7/13 20:45:02 2016/7/13 20:45:02
- C51程序通常有顺序结构、选择结HCPL-3120构和循环结构3种类型。考虑到顺序结构比较简单,在此不做介绍,下面针对选择结构和循环结构常用的条件语旬、循环语句和开关语句分别介绍。...[全文]
- 或非门模型参数2016/7/2 18:26:04 2016/7/2 18:26:04
- 以漏极饱和电流退化10%作为器件退化的失效判据,提取出的模型参数如图10.5所示。3个参数nno、H0和m0的值分别是0,515、1.978E+5和3.215,即模型参数刀、AD8032BR和昭...[全文]
- 影响氧化层电荷的因素很多2016/7/1 21:54:08 2016/7/1 21:54:08
- si/s⒑2界面处的界面态。界面态是CAP002DG指存在于si/so2界面处而能级位于硅禁带中的一些分立的或连续的电子能态(能级)。界面态一般分为施主和受主两种。可以是带电的,也可以是中性的,...[全文]
- 匹配MOs晶体管2016/6/28 23:27:27 2016/6/28 23:27:27
- 为了降低系统失配,可以采取如下的版图设计技术:第一类技术称为单元元器件复制技术,ADS1110A0IDBVT是指匹配的两个元器件都由某一个元器件单元的多个复制版本串联或并联构成,这样可以降低工艺...[全文]
- 水汽引起的分层效应2016/6/22 21:15:36 2016/6/22 21:15:36
- 塑封IC是指以塑料等树脂类聚合物材料封装的集成电路。除了塑封材料与金属框架和D1FL20/L2芯片间发生分层效应(俗称“爆米花”效应汐卜,由于树脂类材料具有吸附水汽的特性,由水汽吸附引起的分层效...[全文]
- 新模型的关键点2016/6/20 21:01:32 2016/6/20 21:01:32
- 新模型的关键点在于描述DCHC寿命与漏极饱和电流、衬底电流、加速因HB04U15S15QC子m1、m2和前置系数B的相关性,该方程在本质上与漏极/衬底电流比率模型不同,其参数与应力栅压无关。...[全文]
- 硅片从起始到完成的过程2016/6/10 17:34:17 2016/6/10 17:34:17
- 前工序包括:(1)薄膜制各工艺,包括氧化、外延、化学气相沉积、蒸发、溅射;(2)掺杂工艺,S606C-50包括离子注入和扩散;(3)图形加工技术,包括制版和光刻。后工序包括:中间测...[全文]
- 专业化分工发展成熟 2016/6/9 22:18:02 2016/6/9 22:18:02
- 在50多年的发展过程中,世界集成AD8403ARZ10电路产业为了适应技术的发展和市场需求,其产业结构经历了3个主要阶段。第一个阶段:1960年前后,随着平面工艺的发展,加上表面态...[全文]
- 实施过程中需注意的事项2016/6/8 20:47:51 2016/6/8 20:47:51
- ①明确职责。要实现成功推行5S就必须将每个员工的5S职责明确,并使其简明、清BA10358F-E2晰可见,以便员工明确自身肩负的行为准则,实现企业提升生产效率的初衷。②设定行为和作...[全文]
- 贴生产标签2016/5/23 20:32:50 2016/5/23 20:32:50
- ①作用。规范单板制造过程中生产HCF4053BEY标签的贴装工艺。②生产标签的种类。●板名标签:因区分单板名称的需要而要求粘贴的标签。●条...[全文]
- 自动光学检测设备的分类 2016/5/17 20:28:59 2016/5/17 20:28:59
- 1.根据配置场合的不同,AO|可分为离线式AOl和在线式AO丨两种具体选用在线还是离线,必须根据自身的实际情况去权衡:如果是小批量、NCS2001SN1T1多品种,转线频繁的生产模...[全文]
- 图元输出2016/4/28 21:08:56 2016/4/28 21:08:56
- 选择菜单File—ExportGraphics—ExportMetafile命令,弹出图8-52所示的图元输出对话框,IDT71342SA70J在此可设置图元图形的Scope、Options、R...[全文]
- 总线分支连接2016/4/27 22:35:34 2016/4/27 22:35:34
- 有时候要把一个位宽比较大的总线与位宽比较小的总线相连接,如图8-41所示,BB2器件的输出Q[0..7]是一个8位的总线,将其分成两个4位的总线分别与M1和M2相连,按照起始值对准原则,X[0....[全文]
- 模式发生器的虚拟仿真界面2016/4/22 21:26:19 2016/4/22 21:26:19
- 单击交互式仿真按钮中的Play按钮或者Pause接钮,都会弹出信号发生器虚拟仿真界面LD8031BH(如果没有弹出该界面,可以选择菜单Debug—VSMPatternGenerator命令),如...[全文]
热门点击
- 变压器是变换电路中的电压、电流和阻抗的器
- 中断请求标志
- Simulation Speed(仿真速
- 影响氧化层电荷的因素很多
- 82C55的基地址是A口寄存器,而不是控
- Component Properties
- 光刻工艺的基本步骤
- 蓝绿光LED芯片结构及制备工艺
- 总线分支连接
- C51流程控制语句
IC型号推荐
- IC-PST9327UR
- IC-PST9327UR / R59_3282
- IC-PST9327UR / R59_3282
- IC-PST9328UR
- IC-PST9331UR
- IC-PST9332UL
- ic-pst9336ur
- IC-PST9339UR
- IC-PST9342UR
- IC-PST9344UR
- IC-PST9940-T/R
- ICPST995MNR
- IC-PST995MNR
- ICPST995NNR
- ic-pst995nnr
- ICPST995PNR
- ICPU 1C02
- ICQ3002A-D/CM68304
- ICQ3003A/CM68305
- ICQ3007A-D
- ICQ3013B-D
- ICQ3021
- ICQ3030C
- ICQ3035A-81007
- ICQ3046A-I
- ICQ3064A-I
- ICQ3078A-D
- ICQ3106A-D
- ICQ3108B-D
- ICQ3114A-I(H)