理论分析表明:RGB三基色LED的最大发光效率约为37411n/W(显色指数R四≤80),远高于同等显色指数下的蓝色LED激发黄色荧光粉的方案。 LM3404HVMRX分析表明,要达到⒛01W`V的光效,R、G、B三种LED芯片的光电转换效率均要高于53%,最佳波长分别为:损=ω4nm,柁=534nm,杨=弱0nm。目前RGB封装LED的光效低于1001tl△W,主要原因在于绿色LED的发光效率仅为10%,远低于蓝光LED。绿光LED光效难于提高的原因在于日前找到的可发绿光的材料,如hGaN、AlGaInP等,在外延生长过程中的晶格失配弛豫、热力学不稳定性、极化效应等方面均存在较大的问题。要克服这些困难还要有很远的路要走。

   图⒋31为一种表面贴装的RGB-LED器件的照片。

   图中管壳包括4个电极,R、G、B三只LED芯片贴片在三个不同电极处,有一个公共电极。通过键合的金丝实现芯片与电极的电气连接。

   多芯片封装白光LED也存在一些缺点,如各基色光LED电压、光功率、发光波长均随电流变化,且变化速率不同。工作温度也对上述参数产生影响。因此,为了 保持颜色的稳定,需要对各种颜色的LED分别增加负反馈电路进行补偿,导致驱动电路设计复杂、成本增加,此外还将带来额外的效率损失。