- 选用与代换2017/6/13 18:50:39 2017/6/13 18:50:39
- ①选用水泥电阻器的功率和阻值小,且通常工作于大电流、高电压状态,故其损坏率较高;P6SMB10AT3G但水泥电阻器具有优异的绝缘、散热和防爆性能,在电路中能起到很好的限流作用,故多...[全文]
- 三相桥式全控整流电路在任何一个时刻必须有两只晶闸管同时导通2017/6/12 20:04:13 2017/6/12 20:04:13
- 脉冲的宽度和前沿。L7805CV-DG三相桥式全控整流电路在任何一个时刻必须有两只晶闸管同时导通,这要求在每一个周期(r=36o°)内,在任何一个时刻都必须有而且也只能有两个脉冲存在。因此每路脉...[全文]
- 触发信号要有足够的功率2017/6/12 19:58:27 2017/6/12 19:58:27
- 1)触发信号要有足够的功率为使晶闸管可靠触发,触发电路提供的触发电压和触发电流必须大于晶闸管产品参数提供的控制极触发电压与触发电流值,即必须保证具有足够的触发功率。例...[全文]
- 有机涂层的固化2017/6/12 19:35:13 2017/6/12 19:35:13
- 中频感应加热可以用来固化有机涂层,如金属底部加热,同时给金属喷涂有机涂料。KT367DX33E72-A0使用这种方法,可以避免产生涂层缺陷。典型的应用实例是把金属片涂料涂抹在金属表面,然后加热金...[全文]
- 中频电源的负载对象各式各样2017/6/12 19:32:20 2017/6/12 19:32:20
- 中频电源的负载对象各式各样,而中频电源逆变器与负载是一有机的整体,KRM55TR72J474MH01L一般采用匹配变压器连接中频电源和负载感应器,高频、超音频电源用的匹配变压器从磁性材料到绕组结...[全文]
- 晶闸管本身开关特性等参数的限制2017/6/12 19:30:27 2017/6/12 19:30:27
- 在超音频(10~100kHz)范围内,由于晶闸管本身开关特性等参数的限制,给研制该频段的电源带来了很大的技术难度。JQ1AP-12V-F而在欧美,由于SIT存在高通态损耗(⒊T工作于非饱和区)等...[全文]
- 中频电源的优点2017/6/12 19:16:18 2017/6/12 19:16:18
- 中频电源是用电力半导体元器件组成的一种静止变频电源,是通过晶间管将I频(mHz)变换为中频(碉0Hz~⒛0kHz)的静止变频技术。它有两种变频方式:交一直一交变频和交一交变频。与传统的电源发电机...[全文]
- 为了保证DB连接器与金属面板良好的电气连接2017/6/8 21:26:42 2017/6/8 21:26:42
- 【处理措施】为了保证DB连接器与金属面板良好的电气连接,将DB连接器通过螺钉固定在金属面板上面,使DB连接器与金属面板紧密连接,使DB连接器外壳与该板金属面板两者之间具有良好的电连...[全文]
- 开关电路产生的电磁骚扰是开关电源的主要骚扰源之一2017/6/8 21:13:55 2017/6/8 21:13:55
- 对开关电源来说,开关电路产生的电磁骚扰是开关电源的主要骚扰源之一。N315AD开关电路是开关电源的核`b,主要由开关管和高频变压器组成。它产生的dI//d莎是具有较大辐度的脉冲,频带较宽且谐波丰...[全文]
- 差模传导性抗扰度测试实质2017/6/6 21:10:43 2017/6/6 21:10:43
- 在EMC的相关测试标准中,L4006L6低频的传导性抗扰度测试通常以差模为主,如国军标⑶B152A中规定的CS101、CS1∝测试,E∝1000-4-5标准规定的线对线浪涌测试,以...[全文]
- 产品中辐射是如何产生的?2017/6/5 19:32:31 2017/6/5 19:32:31
- [环路与差模辐射]产品中辐射是如何产生的?PCB中的信号环路会产生差模辐射,C0402C0G681J500NT这是无可争议的事实。公式E(uⅤ/m)=1.3×r(A).s(cm2)・...[全文]
- 移相掩膜技术2017/5/26 21:04:26 2017/5/26 21:04:26
- 移相掩膜的基本原理是在光掩膜的某些透明图形上增加或减少一个透明的介质层,称移相SCDS127T-150M-N器,使光波通过这个介质层后产生180°的相位差,与邻近透明区域透过的光波产生干涉,抵消...[全文]
- 化合物薄膜2017/5/23 21:26:03 2017/5/23 21:26:03
- 例如,nMOs电路的互连系统是采用Pts←T←Pt-Au多层金属系统。该系统工艺为:PMBD914①溅射Pt,然后700℃热处理形成P♂欧姆接触层;②溅射Ti,作为黏...[全文]
- 偏压溅射2017/5/22 20:16:39 2017/5/22 20:16:39
- 偏压溅射是将衬底放置在离阳极极板一段距离的衬底极板上,并在该极板上加载100~500V的直流负偏压,LA6358NMLL偏压溅射装置示意图如图826所示。在薄膜淀积过程中,衬底受到...[全文]
- 台阶覆盖特性2017/5/22 19:47:30 2017/5/22 19:47:30
- 台阶覆盖特性如何对蒸镀薄膜而言很重要。集成电路制造技术通常希望所淀积薄膜的保形覆盖能力强,L6562DTR而真空蒸镀制备的薄膜存在台阶覆特性较差问题。图⒏17所示是在表面有深宽比为1的微结构衬底...[全文]
- CⅤD多晶硅薄膜工艺2017/5/20 21:43:08 2017/5/20 21:43:08
- 以CVD工艺制备的多晶硅薄膜厚度均匀、晶粒尺寸适中、台阶覆盖特性好,ACT4501SH-T因此被普遍采用,特别是其中可以大批量、经济性生产的LPCVD方法用得最普遍。通常LPCVD多晶硅是在57...[全文]
- 高密度等离子体技术也应用到氮化硅薄膜制各中2017/5/20 21:35:28 2017/5/20 21:35:28
- 以SlH砭/N2为反应剂淀积氮化硅时,如果其他的工艺条件与以SiH1/NH3为反应剂时相同,则N2和sH1之比需要高达(100:1)~(1∞0)。这是因为N2的等离子化速率比sH,慢得多,只有A...[全文]
- 通常可以用临界角吼来描述发生沟道效应的界限2017/5/15 21:48:09 2017/5/15 21:48:09
- 图614(b)所示是当人射离子沿着沟道轴向人射时,因其离晶轴位置不同而有不同的碰撞情况。PG985C4R当离子A沿着靠近晶轴位置人射时,很容易与晶格原子碰撞而产生大角度散射,不能进入沟道;离子B...[全文]
- 离子注入射程R、投影射程RP及工维分布2017/5/15 21:13:09 2017/5/15 21:13:09
- 设每相邻两次碰撞所经历的路程依次为J1、J2、'3…,如图61(a)所示,则离子PA905C4R从进人靶起到停止点所通过路径的总距离R称为入射离子的射程(range):R在人射方向...[全文]
- 以直拉法拉制掺硼硅锭,切割后获硅片,2017/5/11 22:00:33 2017/5/11 22:00:33
- 本章概述了外延概念、工艺方KA324DTF法、种类及用途。详细介绍了制备硅外延片常用的气相外延工艺和先进的MBE工艺的方法、原理、设备及技术。对LPE、SPE等外延方法及先进外延技术发展趋势进行...[全文]
公网安备44030402000607
