随着LED性能的提高,单颗芯片的功率逐渐增大,很多应用情况下芯片的热流密度大于100W/cm2。AM29F400BT-90ED如果散热问题解决不好,热量集中在尺忄很小的芯片内,使得芯片内部温度越来越高。芯片温度过高会带来许多问题:①使蓝光LED的波K发生红移,并对白光LED

的色坐标、色温产生影响。若偏离了荧光粉的吸收峰,将廿致荧光粉量子效率降低,影响出光效率;②温度对荧光粉的激发特性也有很大影响:随着温度上升,荧光粉景子效率降,出光减少,辐射波长也会发生变化t较高的温度还会加速荧光粉的老化c③加速器件老化,缩短LED工作寿命,甚至还会导致芯片烧毁。改进LED的散热能力,降低LED的热阻是实现半导体照明的关键。

   由4.43节对热阻的分析可知,采取下列措施可以降低热阻:①降低芯片的热阻;②优化热通道结构,如减小各结构层的厚度,增大通道的面积;③采用高热导率的材料;④优化结合界面层的热阻,如采用改良材料,使接触更紧密可靠等。随着LED技术的发展,新的封装形式不断发明出来,散热能力越来越强。图⒋35是历史⒈几种主要的封装形式和它们对应的热阻。初期的引脚式封装形式(a)的热阻最高,达250刀W,当环境温度为65℃时,它最高可承受的输入功率仅约为0,2W;封装形式(c)的热阻为6图W,处于同样的环境温度时,它最高可承受的输入功率则可达9W。通常规定大功率LED的最大额定结温马不应高于I20℃。表4.6、表4.7和表48为根据LED热阻的串联模型所计算的三种封装形式大功率LED器件的理论热阻。