GaN基蓝绿光LED芯片因其常用主流衬底的性能不同而使得芯片具有不同的结构。蓝J430BNRB1宝石衬底因其为绝缘体,因此蓝宝石衬底芯片主流结构是制作成芯片P、N电极都在同一侧的正装结构,又称同侧结构;为了大电流驱动和散热的需求,人们发展了背面(蓝宝石面)出光的倒装结构;为了进一步提高出光和散热性能,将倒装芯片的蓝宝石衬底剥离,制备成薄膜倒装结构;另一种可提供大电流驱动和高效率散热的结构是将蓝宝石用剥离和压焊的工艺制备成垂直结构。另外,⒐C衬底因其优良的导电导热性,用其外延生长的外 延片非常适合制备垂直结构芯片;si衬底的导电导热能力也较佳,其外延片同样适合制备垂直结构芯片。不同的衬底、不同的芯片结构,其芯片结构和制备工艺都不尽相同。