- 参数THO定义了用于统计切换次数的时间窗口2017/12/12 21:47:54 2017/12/12 21:47:54
- 现快速手机尽量切入更大小区的机制，该机制M29W128GH70N6是建立在快速手机比普通手机切换更多的假定前提下的。每个手机的切换频率受到持续监测，参数THO定义了用于统计切换次数的时间窗口，如...[全文]
- 电位器2017/12/11 21:05:53 2017/12/11 21:05:53
- 电位器是一种阻值可以连续调节的电子元件。在电子产品中,经常用它来进行阻值和电位的调节。JK130-035例如,在收音机中用它来控制音量等。电位器对外有三个引出端,其中一个是滑动端,另外两个是固定...[全文]
- 保障人眼视觉功能的照明质量是保证人类生理、心理健康2017/12/6 20:55:10 2017/12/6 20:55:10
- 保障人眼视觉功能的照明质量是保证人类生理、心理健康,并顺利从事各种经济社会活动不可或缺的条件。MBR0540照明是一门科学,针对各类应用的照明标准是人类经过长期理论探讨与实践所得出的科学结论,应...[全文]
- 信息素是在蚂蚁完成一步后更新的2017/12/4 20:31:39 2017/12/4 20:31:39
- 从上边各公式可以看出三种模型的主要区别是:在“蚁量系统”和“蚁密系统”中,P4SMA15CA信息素是在蚂蚁完成一步后更新的,即采用的是局部信息;而在“蚁周系统”中路径中信息素是在蚂蚁完成...[全文]
- 基于启发式方法的集束型装备调度 2017/12/3 20:11:23 2017/12/3 20:11:23
- 以上描述机械手在加工模块上无限等待待卸载晶圆的情况下,Pu11策略和swap策略可以获得最优机械手搬运作业的条件。LPO2506I-103LC另外,机械手还有在加工模块上有限等待待卸载晶圆的情况...[全文]
- 对物理问题进行适当的简化处理2017/12/2 16:06:37 2017/12/2 16:06:37
- 由于上述物理模型属于二维构造体,对于等NC7S232P5X7效热路法而言太过复杂且不易计算出结果,因此需要在保持实际问题基本特点的前提下,对物理问题进行适当的简化处理,以便应用线性数学模型进行描...[全文]
- 多目标规划2017/11/30 21:28:21 2017/11/30 21:28:21
- 多目标规划(Mu1ti-o丬cctivePrOgra11ming,MOP)也是最优化理论和方法中的一个重要分支,它是在线性规划的基础上,为解决多目标决策问题而发展起来的一种数学方法...[全文]
- 双臂集束型装备重入加工过程的仿真模型2017/11/29 21:52:26 2017/11/29 21:52:26
- 为有效控制重入加工中机械手的作业,定义一个外部变量刀(初始值为0),当晶圆移动至PM2或真空锁LLB前一步时,刀值自动加1,实现晶圆的流程控制。K9F5608UOB-YCBO在模型中加入重置对象...[全文]
- 先假设一批晶圆中只有一片晶圆2017/11/27 21:37:26 2017/11/27 21:37:26
- 本章参考文献针对集束型装备的多批次连续加工,甚至批次规模不同的情况,R065-1AR331/471JA推导系统的吞吐量模型。多批次吞吐量理论模型的推导思路:先假设一批晶圆中只有一片晶圆,确定一个...[全文]
- 依据故障现象初步判断为三相进线电源有问题2017/11/23 21:29:04 2017/11/23 21:29:04
- 故障现象:中频电源可以启动,但是电压升不高,易导致过流或过压保护动作,同时M10A2S/STEEL可以观察到缺相故障灯闪烁。故障分析及处理:依据故障现象初步判断为三相进线电源有问题...[全文]
- IDDQ测试电路2017/11/22 20:39:51 2017/11/22 20:39:51
- IDDQ测试可以侦测到的缺陷有开/短路、桥接、栅氧层击穿等物理缺陷,这些缺OB2211CP陷都会引发明显的Jm旧电流增大。内部连接线的短路与桥接如果存在电位差,即引起升高的电源电流。开路造成下级...[全文]
- IDDQ测试2017/11/22 20:37:39 2017/11/22 20:37:39
- CMOS电路的特性在静态时的电流消耗非常低,但是如果电路存在缺陷,那就可OB2211能引起异常的漏电流.这就是J丨ΙQ测试(quie`ccntI丨I)的基本原理:对于一组电路正常的芯片来说.它们...[全文]
- 易于失效分析(EFA、PFA),快速找到失效机制2017/11/20 19:54:45 2017/11/20 19:54:45
- 由于在先进制程,光罩费用昂贵,一套光SCA100T-D01罩成本可能高达数百万美元,所以每个shortprocessloop都使用单独一套光罩是不经济的,通常对yieldlearningvehi...[全文]
- 自动开封2017/11/13 20:59:46 2017/11/13 20:59:46
- 自动开封:环氧封装喷射腐蚀(JetEtch),即对器件进行部分开封,暴露芯片表面或背面,但保留芯片、S/C80C31BCPA44管脚和内引线和压焊点的完整性及电学性能完整,为后续失效定位和检测做...[全文]
- 灵敏度2017/11/8 12:22:04 2017/11/8 12:22:04
- (1)灵敏度HEF4011BT是指传声器将声音转换为电压信号的能力，单位为mV／Pa。灵敏度还常用分贝(dB)表示，ldB一lOOOmVlPa。一般来说，选用灵敏度较...[全文]
- 制程光阻清洗 2017/11/6 21:22:51 2017/11/6 21:22:51
- 光阻一般用作IC制造的光罩,使命完成后,应加以去除。光阻清洗包括前后段干湿刻蚀后光阻去除,S912XEG128J1MAA离子植入后光阻去除,曝光后L下层错位较大或缺陷较多需要重做的光阻去除(re...[全文]
- 合物同铝垫侧壁的界面处生长出来的2017/11/4 12:05:04 2017/11/4 12:05:04
- 为了找出无腐蚀的界限,在最差情况(最高可用的透射率晶圆)下探讨了聚合物气体CH1的影响。CH4流速从基数T增加到3.3T,相应的刻蚀终点和腐蚀缺陷的表现总结在图8.48中。M01050正如所预期...[全文]
- 东京电子2017/11/2 20:14:23 2017/11/2 20:14:23
- 东京电子的刻蚀机主要采用电容耦合等离子(CCP),并主要针对各种介质的刻蚀e⒛06年没计的Tclius廴)(lMJi-()x,其目标是用于45nm及其以下I艺节点的逻辑电路工艺。如图8。H"所示...[全文]
- MPRS3D展示了在一个圆筒形反应器内2017/11/2 19:56:11 2017/11/2 19:56:11
- 如图8,7所示,MPRS3D展示了在一个圆筒形反应器内,由进气口、抽气口和非均匀功率沉积所造成的硅刻蚀的方位角不均匀性。VN1160基本条件包括:压力10mT°rr,⒛00W的13.56MHz射...[全文]
- 速度潜力依赖于光源的光强和光刻胶的灵敏度2017/11/1 19:45:12 2017/11/1 19:45:12
- 这种技术也面临以下问题:O480-VX3WH-LF(l)速度潜力依赖于光源的光强和光刻胶的灵敏度,业界公认的标准是对于10耐/cm2感光度的光刻胶,实现100硅片/小时的产能需要在...[全文]
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